[發(fā)明專利]一種提高金屬鍺化物熱穩(wěn)定性的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610017832.3
• 申請日: 2016-01-12
• 公開（公告）號: CN105551941A
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安霞;張冰馨;黎明;劉朋強(qiáng);林猛;郝培霖;黃如;張興
• 申請（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京萬象新悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11360
• 代理人: 賈曉玲

1.一種金屬鍺化物薄膜制備方法用于提高鍺基襯底上金屬鍺化物的熱穩(wěn)定性的應(yīng)用，該金屬鍺化物制備的步驟包括：

1)去除鍺基襯底表面的粘污和自然氧化層；

2)采用氮等離子體對鍺基襯底表面進(jìn)行處理，氮等離子體處理時(shí)間為5s～10min；

3)淀積金屬，金屬為鎳、鉑、或鈷，退火形成金屬鍺化物薄膜，然后去除未反應(yīng)的金屬。

2.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用，其特征在于，所述步驟1)中鍺基襯底包括鍺襯底、硅基外延鍺襯底或鍺覆絕緣襯底。

3.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用，其特征在于，所述步驟1)中去除鍺基襯底表面粘污和自然氧化層的方法為有機(jī)清洗、鹽酸清洗或氫氟酸清洗。

4.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用，其特征在于，所述步驟2)中產(chǎn)生氮等離子體的設(shè)備是原子層淀積ALD設(shè)備。

5.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用，其特征在于，所述步驟2)中產(chǎn)生氮等離子體的氣體是N₂或NH₃中的一種或多種。