[發明專利]金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制造方法有效
| 申請號： | 201610012076.5 | 申請日： | 2016-01-08 |
| 公開（公告）號： | CN106298930B | 公開（公告）日： | 2019-07-12 |
| 發明（設計）人： | 許健;楊紹明;蘇柏拉曼亞·加亞謝拉拉歐;錢德拉·謝卡爾 | 申請（專利權）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 湯在彥 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 氧化物 半導體 場效應 晶體管 及其 制造 方法 | ||
【說明書】：
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