[發(fā)明專利]無(wú)鉛無(wú)鉍導(dǎo)電銀漿、銀柵線的制備方法及硅太陽(yáng)能電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610007911.6 | 申請(qǐng)日: | 2016-01-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105590663B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-09-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李亮亮;蔣佳初;武濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 清華大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01B1/16 | 分類號(hào): | H01B1/16;H01B1/22;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 深圳市鼎言知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司44311 | 代理人: | 王賽 |
| 地址: | 100084 北京市*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 無(wú)鉛無(wú)鉍 導(dǎo)電 銀柵線 制備 方法 太陽(yáng)能電池 | ||
1.一種無(wú)鉛無(wú)鉍導(dǎo)電銀漿,其用于制備太陽(yáng)能電池電極銀柵線,其包括以下組成:導(dǎo)電銀粉50~80%;玻璃粉1~10%;有機(jī)樹(shù)脂1~10%;有機(jī)溶劑10~30%;其特征在于,所述玻璃粉為無(wú)鉛無(wú)鉍玻璃粉,且所述玻璃粉中SnO的質(zhì)量百分比為28~80%,該無(wú)鉛無(wú)鉍導(dǎo)電銀漿在燒結(jié)過(guò)程中可以蝕穿硅太陽(yáng)能電池表面的氮化硅減反射層。
2.如權(quán)利要求1所述的無(wú)鉛無(wú)鉍導(dǎo)電銀漿,其特征在于,所述玻璃粉的其它組分為選自P2O5、B2O3、ZnO、SiO2、BaO、Na2O、以及K2O中的一種或多種。
3.如權(quán)利要求2所述的無(wú)鉛無(wú)鉍導(dǎo)電銀漿,其特征在于,所述玻璃粉的組分及質(zhì)量百分比為:SnO 28~80%;B2O3 20~55%;ZnO 0~5%;SiO2 0~5%;BaO 0~3%;Na2O 0~3%;K2O 0~2%。
4.如權(quán)利要求2所述的無(wú)鉛無(wú)鉍導(dǎo)電銀漿,其特征在于,所述玻璃粉的組分及質(zhì)量百分比為:SnO 28~80%;P2O5 20~72%;ZnO 0~5%;SiO2 0~5%;BaO 0~3%;Na2O 0~3%;K2O 0~2%。
5.如權(quán)利要求4所述的無(wú)鉛無(wú)鉍導(dǎo)電銀漿,其特征在于,所述玻璃粉僅由SnO和P2O5組成。
6.如權(quán)利要求1所述的無(wú)鉛無(wú)鉍導(dǎo)電銀漿,其特征在于,所述導(dǎo)電銀粉的質(zhì)量百分比為70~80%,所述玻璃粉的質(zhì)量百分比為2~6%,所述有機(jī)樹(shù)脂的質(zhì)量百分比為2~6%,所述有機(jī)溶劑的質(zhì)量百分比為12~20%。
7.如權(quán)利要求1所述的無(wú)鉛無(wú)鉍導(dǎo)電銀漿,其特征在于,所述導(dǎo)電銀粉為粒徑為1~3微米的球形顆粒,所述玻璃粉的粒徑為0.5微米~3微米,所述有機(jī)樹(shù)脂為乙基纖維素,所述有機(jī)溶劑為α-萜品醇。
8.一種硅太陽(yáng)能電池電極銀柵線的制備方法,其特征在于,該方法包括:
將權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的無(wú)鉛無(wú)鉍導(dǎo)電銀漿印刷在硅半導(dǎo)體層的氮化硅減反射層表面形成電極銀柵線預(yù)制體;以及
將所述電極銀柵線預(yù)制體在120~200℃預(yù)燒5~20分鐘,然后在850~950℃將所述電極銀柵線燒結(jié)1~10分鐘。
9.一種硅太陽(yáng)能電池,其包括:
一硅半導(dǎo)體層,該硅半導(dǎo)體層的一表面具有一氮化硅減反射層;以及
一設(shè)置于該氮化硅減反射層表面的正極電極,其特征在于,所述正極電極包括采用權(quán)利要求8所述的方法制備的電極銀柵線。
10.如權(quán)利要求9所述的硅太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述硅半導(dǎo)體層為單晶硅或多晶硅;所述電極銀柵線中無(wú)鉛且無(wú)鉍。
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