[發(fā)明專利]掩膜板組、彩膜基板及其制作方法、檢測裝置、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610006525.5 | 申請日: | 2016-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN105487333B | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 熊強;吳洪江;畢瑞琳;孫紅雨;韓自力;彭元鴻;黎敏 | 申請(專利權(quán))人: | 重慶京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/42 | 分類號: | G03F1/42;G09F9/30;G02F1/1335;G02F1/13 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陳源 |
| 地址: | 400714 重慶市北碚區(qū)*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩膜板組 彩膜基板 及其 制作方法 檢測 裝置 顯示裝置 | ||
1.一種掩膜板組,用于制作彩膜基板,所述彩膜基板包括濾光區(qū)和多個標(biāo)記區(qū),所述濾光區(qū)被劃分為多個像素單元,每個像素單元均包括沿行方向排列的多個不同顏色的子像素,其特征在于,所述掩膜板組包括:
第一掩膜板,所述第一掩膜板對應(yīng)于每個所述標(biāo)記區(qū)的位置均形成有多個黑矩陣第一標(biāo)記掩膜圖形,且距離最近的兩個所述黑矩陣第一標(biāo)記掩膜圖形的中心間距不小于同一行中相鄰兩個所述子像素的中心間距的兩倍;在所述第一掩膜板的對應(yīng)于任意一個所述標(biāo)記區(qū)的位置,所述黑矩陣第一標(biāo)記掩膜圖形的個數(shù)等于所述像素單元內(nèi)子像素的顏色種類數(shù);
第二掩膜板,所述第二掩膜板對應(yīng)于所述濾光區(qū)的位置形成有與其中一種顏色的多個子像素一一對應(yīng)的多個色阻塊掩膜圖形,所述第二掩膜板對應(yīng)于每個所述標(biāo)記區(qū)的位置均形成有沿列方向排列的至少兩個色阻標(biāo)記掩膜圖形;
當(dāng)所述第一掩膜板與所述彩膜基板對正時,對應(yīng)于同一個標(biāo)記區(qū)的多個黑矩陣第一標(biāo)記掩膜圖形能夠在該標(biāo)記區(qū)形成多個第一投影,當(dāng)所述第二掩膜板的色阻塊掩膜圖形依次與各種顏色的子像素對正時,對應(yīng)于同一個標(biāo)記區(qū)的多個色阻標(biāo)記掩膜圖形能夠在該標(biāo)記區(qū)形成多列第二投影,同一個標(biāo)記區(qū)中,至少兩個第一投影分別對應(yīng)不同列的第二投影,且所述第一投影位于相應(yīng)的第二投影的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板組,其特征在于,在同一標(biāo)記區(qū)中,多個所述第一投影分別與位于互不相同的列中的多個所述第二投影一一對應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜板組,其特征在于,所述第二掩膜板對應(yīng)于每個所述標(biāo)記區(qū)的位置均形成有兩個所述色阻標(biāo)記掩膜圖形,所述第一掩膜板對應(yīng)于每個所述標(biāo)記區(qū)的位置均形成有三個所述黑矩陣第一標(biāo)記掩膜圖形,其中兩個所述黑矩陣第一標(biāo)記掩膜圖形位于同一行中,且該兩個黑矩陣第一標(biāo)記掩膜圖形中心連線的垂直平分線穿過第三個黑矩陣第一標(biāo)記掩膜圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板組,其特征在于,所述掩膜板組還包括用于形成所述彩膜基板的隔墊物層的第三掩膜板,所述第三掩膜板的對應(yīng)于每個所述標(biāo)記區(qū)的位置均形成有至少一個隔墊物標(biāo)記掩膜圖形,所述第一掩膜板的對應(yīng)于所述標(biāo)記區(qū)的位置還形成有黑矩陣第二標(biāo)記掩膜圖形,當(dāng)所述第一掩膜板和所述第三掩膜板均與所述彩膜基板對正時,所述黑矩陣第二標(biāo)記掩膜圖形在所述彩膜基板上的正投影位于所述隔墊物標(biāo)記掩膜圖形在所述彩膜基板上的正投影范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜板組,其特征在于,所述黑矩陣第一標(biāo)記掩膜圖形的長度和寬度均在45~50μm之間;
所述黑矩陣第二標(biāo)記掩膜圖形的長度和寬度均在45~50μm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板組,其特征在于,在所述第二掩膜板的對應(yīng)于同一個所述標(biāo)記區(qū)的位置,相鄰兩個所述色阻標(biāo)記掩膜圖形的中心間距在300~320μm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項所述的掩膜板組,其特征在于,所述色阻標(biāo)記掩膜圖形的長度和寬度均在85~95μm之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項所述的掩膜板組,其特征在于,所述第一掩膜板對應(yīng)于所述濾光區(qū)的位置還形成有網(wǎng)格狀的黑矩陣掩膜圖形。
9.一種利用權(quán)利要求1至8中任意一項所述的掩膜板組制作彩膜基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
S1、形成黑矩陣材料層;
S2、利用所述第一掩膜板對所述黑矩陣材料層進行曝光并顯影,以形成多個對應(yīng)于所述黑矩陣第一掩膜圖形的黑矩陣第一標(biāo)記塊;
S3、分別形成多種不同顏色的色阻塊,其中,每形成一種顏色的色阻塊均包括:
S3a、形成相應(yīng)顏色的色阻材料層;
S3b、利用所述第二掩膜板對所述色阻材料層進行曝光并顯影,以形成相應(yīng)顏色的多個對應(yīng)于所述色阻塊掩膜圖形的色阻塊,同時形成相應(yīng)顏色的多個對應(yīng)于所述色阻標(biāo)記掩膜圖形的色阻標(biāo)記塊;
并且,同一個所述標(biāo)記區(qū)中的至少兩個黑矩陣第一標(biāo)記塊被不同顏色的色阻標(biāo)記塊覆蓋。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





