[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201610006426.7
• 申請日: 2016-01-06
• 公開（公告）號: CN106952922B
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 陳亮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有若干浮柵結構，在相鄰的所述浮柵結構之間形成有向下延伸至所述半導體襯底中的淺溝槽隔離結構；

回蝕刻去除所述淺溝槽隔離結構中的部分隔離材料，以形成凹槽，露出所述浮柵結構的部分側壁，其中在所述浮柵結構的側壁上有隔離材料殘留；

對所述凹槽中暴露的所述淺溝槽隔離結構中的隔離材料進行離子注入，以在所述淺溝槽隔離結構的隔離材料中形成離子注入層，其中，所述離子注入層的濕法蝕刻速率大于所述隔離材料的濕法蝕刻速率，所述離子注入層包括對應于殘留于所述浮柵結構側壁上的隔離材料的離子注入層；

進行濕法清洗，以去除所述離子注入層，從而將所述浮柵結構側壁上殘留的隔離材料去除。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隔離材料包括氧化物。

3.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述離子注入的離子為VA族重金屬元素。

4.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述離子注入的離子為砷離子。

5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述濕法清洗為軟蝕刻。

6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述離子注入包括注入方向與所述半導體襯底的表面垂直方向具有夾角的傾斜離子注入和注入方向與所述半導體襯底的表面垂直的垂直離子注入。

7.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，選用地毯式干法蝕刻去除所述淺溝槽隔離結構中的部分隔離材料。

8.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述浮柵結構和淺溝槽隔離結構的方法包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成浮柵層和掩膜層；

圖案化所述掩膜層、所述浮柵層和所述半導體襯底，以形成若干相互隔離的浮柵結構以及位于所述浮柵結構之間的淺溝槽；

在所述淺溝槽中填充隔離材料，以形成所述淺溝槽隔離結構；

去除所述掩膜層。

9.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述回蝕刻之后，所述淺溝槽隔離結構中的隔離材料在所述浮柵結構側壁上的部分的厚度比其它部分厚。