[發(fā)明專利]一種TFT液晶顯示模組及其封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610005331.3
• 申請日: 2016-01-05
• 公開（公告）號(hào): CN105655298A
• 公開（公告）日: 2016-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李文輝
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/00
• 分類號(hào): H01L23/00;H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 袁江龍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示器封裝結(jié)構(gòu)的技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種TFT 液晶顯示模組及其封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法。

背景技術(shù)

氧化物半導(dǎo)體(如IGZO，indiumgalliumzincoxide，銦鎵鋅氧化 物的縮寫)，等等)TFT存在的問題，如圖1所示，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中 一種TFT封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。

氧化物半導(dǎo)體TFT，容易吸收環(huán)境中的水汽，造成TFT性能變異。 常使用保護(hù)層3來隔絕水汽555，保護(hù)層3可以是無機(jī)材料，或有機(jī)材 料。但水汽會(huì)吸附在保護(hù)層3表面，極有可能穿透保護(hù)層3，侵入到TFT 結(jié)構(gòu)單元2處，進(jìn)而影響到TFT的性能。其中，圖中標(biāo)注1為玻璃基板。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT液晶顯示模組及其封裝結(jié)構(gòu)和封裝方 法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中TFT封裝結(jié)構(gòu)容易使環(huán)境中的水汽侵入，進(jìn)而影 響TFT性能的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種具有疏水層的TFT封裝 結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括蓋設(shè)于TFT表面的第一保護(hù)層，設(shè)于所述第一 保護(hù)層外的第二保護(hù)層，以及設(shè)于所述第二保護(hù)層外的疏水層。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述疏水層為一層或者多層結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述疏水層的材質(zhì)為有機(jī)光阻材料。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述疏水層利用有機(jī)光阻材料經(jīng)過等離 子處理之后形成。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述第一保護(hù)層和所述第二保護(hù)層的材 質(zhì)為絕緣材料。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還一種具有疏水層的TFT封裝方法， 所述封裝方法包括：

在TFT表面形成第一保護(hù)層；

在所述第一保護(hù)層的外表面形成第二保護(hù)層；

在所述第二保護(hù)層的外表面形成疏水層。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述疏水層為一層或者多層結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述疏水層的材質(zhì)為有機(jī)光阻材料。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述疏水層利用有機(jī)光阻材料經(jīng)過等離 子處理之后形成。

進(jìn)一步地，本發(fā)明提供一種TFT液晶顯示模組，所述TFT液晶顯 示模組中的TFT結(jié)構(gòu)單元利用上述實(shí)施例中所述的封裝方法封裝而成。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的TFT液晶顯示模組及其封裝結(jié)構(gòu)和 封裝方法，通過在TFT保護(hù)層外表面上制作有疏水層，由于疏水層不吸 附水汽，具有阻隔水汽侵入的作用，從而達(dá)到保護(hù)TFT性能穩(wěn)定的目的。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描 述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖 僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出 創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種TFT封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明具有疏水層的TFT封裝結(jié)構(gòu)一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意 圖；

圖3是本發(fā)明具有疏水層的TFT封裝方法一優(yōu)選實(shí)施例的流程示意 圖；

圖4是圖3實(shí)施例TFT封裝方法中制作第一、第二保護(hù)層的結(jié)構(gòu)示 意圖；以及

圖5是圖3實(shí)施例TFT封裝方法中制作疏水層的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。特別指 出的是，以下實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明，但不對本發(fā)明的范圍進(jìn)行限 定。同樣的，以下實(shí)施例僅為本發(fā)明的部分實(shí)施例而非全部實(shí)施例， 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請參閱圖2，圖2是本發(fā)明具有疏水層的TFT封裝結(jié)構(gòu)一優(yōu)選實(shí)施 例的結(jié)構(gòu)示意圖；其中，該封裝結(jié)構(gòu)包括但不限于以下結(jié)構(gòu)單元：基板 100、TFT結(jié)構(gòu)單元200、第一保護(hù)層300、第二保護(hù)層400以及疏水層 500。

具體而言，該TFT結(jié)構(gòu)單元200設(shè)在基板100上，其中，TFT結(jié)構(gòu) 單元200進(jìn)一步包括柵極210、半導(dǎo)體層220、源極230、漏極240以及 金屬氧化物層250等，關(guān)于TFT結(jié)構(gòu)單元200的詳細(xì)結(jié)構(gòu)特征，在本領(lǐng) 域技術(shù)人員能夠理解的范圍之內(nèi)，此處不再贅述。