[發明專利]一種改進的電離層垂直剖面建模方法

有效

• 申請號: 201610004982.0
• 申請日: 2016-01-05
• 公開（公告）號: CN105701276B
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 郭文玲;柳文;蔚娜;魯轉俠;馮靜;楊龍泉;師燕娥
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十二研究所
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 孫靜雅

1.一種改進的電離層垂直剖面建模方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

步驟A：獲取N_mF₂、h_mF₂、N_mF₁、B₀、B₁、D₁、N_mE、h_mE、h_vE、δh_vE、δN_vE、y_mE 12個自由參數的初始值；

步驟B：確定12個自由參數的搜索范圍；

步驟C：根據實測電離圖數據，選取三個頻率點；

步驟D：將電離層建模為包含E層、谷層、連接層1、F₁層、連接層2、F₂層的模型，其中，E層剖面用拋物模型表示，谷層剖面分為兩部分，與E層連接的部分用三次多項式模型表示，與F₁層連接的部分用反拋物模型表示，F₁層基于高斯模型表示，連接層2基于反高斯模型表示，F₂層剖面用IRI中的模型，連接層1應用的模型如式(1)所示；

其中，

N_mE表示E層的最大電子濃度；h_mF₁表示F₁層峰高；h_mF₂表示F₂層的峰高；N_mF₂表示F₂層峰高處的電子濃度；h₂表示F₂層與連接層2的交點處高度；h_mF₂表示F₂層的峰高；h_mE表示E層峰高；δh_vE表示谷寬；h₁表示連接層1與F₁層連接處的高度；

H_st是式(2)的根

B₁的值根據經驗設為3，D₁的值根據經驗設為1.75，B₀_base的值如式(7)所示：

para_A＝(N_mF₁‐N_mE)/(h_mF₂‐h_mE‐δh_vE) (4)

para_B＝N_mE‐para_A·h_mE (5)

h_mF₁_approx＝(N_mF₁‐para_B)/para_A+25·10³ (6)

步驟E：獲取根據步驟C中選取的三個頻點計算得到的虛高與實測虛高差最小的1000組參數；

步驟F：在獲取的1000組參數中，根據實測數據的所有頻點的虛高與模型計算的虛高相關系數最大的一組參數作為剖面反演參數。