[發(fā)明專利]一種電離層水平不均勻結(jié)構(gòu)重構(gòu)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610004816.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-01-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105573963B | 公開(公告)日: | 2018-05-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馮靜;柳文;蔚娜;婁鵬;魯轉(zhuǎn)俠;楊龍泉;郭文玲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十二研究所 |
| 主分類號(hào): | G06F17/13 | 分類號(hào): | G06F17/13 |
| 代理公司: | 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人: | 孫靜雅 |
| 地址: | 266107 山*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電離層 水平 不均勻 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種電離層水平不均勻結(jié)構(gòu)重構(gòu)方法,其特征在于,包括如下步驟:
(一)建立區(qū)域電離層電子濃度網(wǎng)格,在返回散射探測(cè)方位上,按照地面距離和高度分別劃分網(wǎng)格;
(二)準(zhǔn)備反演算法的輸入,包括:
①實(shí)測(cè)的返回散射前沿G
②利用發(fā)射站的垂測(cè)電離圖反演得到返回散射發(fā)射站上空的電子濃度剖面N
③將實(shí)測(cè)前沿G
(三)利用頻率范圍[f
①初始二維電子濃度剖面認(rèn)為是水平均勻的,即步驟(一)中的電子濃度網(wǎng)格每一地面距離上空的電子濃度剖面都等同于返回散射發(fā)射站處的電子濃度剖面N
②使用符號(hào)|| ||表示均方根,定義理論前沿值與實(shí)測(cè)前沿值之間的均方根誤差為:
其中M表示參與反演的前沿點(diǎn)個(gè)數(shù);
如果下列條件滿足
||G
則認(rèn)為步驟(三)的①中的初始電子濃度剖面就是反演問題的最優(yōu)解,否則進(jìn)行下面的迭代過程:
③求解頻率范圍[f
滿足邊界條件
其中
G
這里,f
描述的方法計(jì)算,其中,
上式中,f
滿足邊界條件:
u
其中
假設(shè)網(wǎng)格是均勻劃分的,v代表地面距離網(wǎng)格個(gè)數(shù),w代表探測(cè)頻率個(gè)數(shù),d表示地面距離網(wǎng)格的寬度,s表示探測(cè)頻率步進(jìn);
固定正則化參數(shù)α的值,利用Cholesky分解法求解上述v個(gè)方程可以得到v個(gè)未知數(shù)的解
其中
④在新的電子濃度剖面N(h,x)下,運(yùn)用射線追蹤技術(shù)合成頻率范圍[f
(四)接著利用頻率范圍[f
(五)將頻率范圍按照步驟(二)的③劃分的方法逐步增加,然后按照步驟(四)描述的方法完成反演,經(jīng)過n次反演,最終得到二維電子濃度剖面N
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