[發明專利]一種OLED器件的封裝結構、顯示裝置和封裝方法有效
| 申請號: | 201610003711.3 | 申請日: | 2016-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN105449118B | 公開(公告)日: | 2017-12-08 |
| 發明(設計)人: | 黃維 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所11247 | 代理人: | 李崢,楊曉光 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 器件 封裝 結構 顯示裝置 方法 | ||
技術領域
本發明涉及有機發光顯示技術領域,尤其涉及有源矩陣發光二極管技術領域。更具體地,本發明涉及一種OLED器件的封裝結構、一種顯示裝置以及一種OLED器件的封裝方法。
背景技術
相比于其它類型的顯示器件(例如,液晶顯示單元),OLED顯示器件因其輕薄、低功耗、高對比度、高色域等優點,作為下一代顯示器被廣泛研究并得到初步應用。相比于液晶顯示器件,OLED顯示器件的另一個優勢是,其不需要背光照明。
然而,OLED顯示器件的一個缺點為其對空氣和濕度的敏感性。OLED 發光層的多數有機物質對于大氣中的污染物、O2以及水汽都十分敏感,會直接造成有機發光材料發生變質,發光效率降低、發光異常或無法發光等問題,同時會引起金屬電極的氧化和腐蝕,因此封裝技術直接影響到OLED 顯示器件的穩定性和壽命。
有源矩陣發光二極管(也被稱為active-matrix organic light emitting diode,AMOLED)比無源矩陣有機發光二極管(也被稱為positive-matrix organic light emitting diode,PMOLED)的能量效率更高。有源矩陣發光二極管具有良好的市場前景,然而其封裝技術也是AMOLED顯示產品化的關鍵技術,目前很多顯示面板廠商都在開發薄膜封裝(thin film encapsulation,TFE)技術。TFE結構上一般為兩層或者以上的多層薄膜堆疊結構,按照作用來分為無機阻水層、有機平坦化層兩類。圖1(a)和圖1(b) 為常見的三層、五層薄膜堆疊的TFE結構。
發明內容
本發明的實施例提供一種OLED器件的封裝結構、顯示裝置和封裝方法,能夠解決現有封裝技術中的薄膜均勻性差、對制造設備要求較高的問題。
本發明的一個目的在于提供一種OLED器件的封裝結構。
本發明的第一方面提供了一種OLED器件的封裝結構,包括:基板,在所述基板上的OLED器件,在所述OLED器件上的第一層,其中,所述OLED器件的封裝結構還包括位于第一層外側用于界定所述第一層的第一阻擋層,并且其中,所述第一阻擋層在其拐角位置具有冗余部。
在一種實施方式中,所述第一阻擋層的冗余部的最大半長度在 0.03-0.3mm之間。
可選地,所述第一阻擋層的冗余部的最大半長度在0.05-0.15mm之間。
在一種實施方式中,所述第一層在其對應于所述OLED器件拐角的位置處具有第一斜坡形狀,且在其對應于所述OLED器件邊緣的位置處具有第二斜坡形狀,并且其中,所述第一斜坡形狀的寬度大于所述第二斜坡形狀的寬度,且寬度的差值范圍在0.03-0.3mm之間。
可選地,所述第一斜坡形狀的寬度和所述第二斜坡形狀的寬度的差值范圍在0.05-0.15mm之間。
在一種實施方式中,所述封裝結構還包括,設置在所述OLED器件和所述第一層之間的第一阻水層,以及設置在所述第一層上的第二阻水層。
可選地,所述第一層、所述第一阻水層、所述第二阻水層中的至少一個,在其拐角位置具有冗余部。
可選地,所述第一阻擋層的冗余部、所述第一層的冗余部、所述第一阻水層的冗余部、所述第二阻水層的冗余部中的至少一個的形狀包括弧形、半圓形、方形。
可選地,所述封裝結構還包括彼此交替設置的至少一個第二層和至少一個第三阻水層,以及還包括位于所述第二層外側用于界定所述第二層的至少一個第二阻擋層。
可選地,所述基板為柔性基板;所述OLED器件為AMOLED器件;所述第一和第二阻水層為無機阻水層;所述第一層為有機平坦層。
本發明的另一個目的在于提供一種顯示裝置。
本發明的第二方面提供了一種顯示裝置,所述顯示裝置設置有前述的 OLED器件的封裝結構。
本發明的又一個目的在于提供一種OLED器件的封裝方法。
本發明的第三方面提供了一種OLED器件的封裝方法,包括:提供基板;在所述基板上設置OLED器件;在所述OLED器件上通過噴墨工藝形成第一層;其中,所述方法還包括,在所述第一層外側形成用于界定所述第一層的第一阻擋層,以及,在所述第一阻擋層的拐角位置設置冗余部。
在一種實施方式中,所述封裝方法還包括,將所述第一阻擋層的冗余部的最大半長度設置在0.03-0.3mm之間。
可選地,所述封裝方法還包括,將所述第一阻擋層的冗余部的最大半長度設置在0.05-0.15mm之間。
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
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H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





