[發(fā)明專(zhuān)利]一種用于LTE頻段的雙極化微帶縫隙天線

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610002581.1
• 申請(qǐng)日: 2016-01-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105449356B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李孜
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳三星通信技術(shù)研究有限公司;三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01Q1/38
• 分類(lèi)號(hào): H01Q1/38;H01Q13/10;H01Q23/00
• 代理公司: 深圳匯智容達(dá)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44238
• 代理人: 潘中毅;孫威

1.一種用于LTE頻段的雙極化微帶縫隙天線，其特征在于，包括：

用以反射電磁波的金屬反射板,所述金屬反射板為一截面呈U形的型腔；

固定裝設(shè)在所述金屬反射板中的第一PCB介質(zhì)基板，所述第一PCB介質(zhì)基板與所述金屬反射板的底板間保持一定的距離；

固定裝設(shè)在所述金屬反射板中的第二PCB介質(zhì)基板，所述第二PCB介質(zhì)基板位于所述第一PCB介質(zhì)基板的鄰側(cè)且與所述第一PCB介質(zhì)基板保持一定的距離；其中：

所述第一PCB介質(zhì)基板和所述第二PCB介質(zhì)基板通過(guò)螺釘固定在金屬反射板的U形型腔內(nèi)；所述第一PCB介質(zhì)基板的頂面、底面以及所述第二PCB介質(zhì)基板的頂面上均覆有金屬銅層，所述第一PCB介質(zhì)基板頂面的金屬銅層上至少設(shè)有兩組相互正交的用以輻射電磁波的耦合縫隙，所述第一PCB介質(zhì)基板底面的金屬銅上至少設(shè)有兩組相互正交的饋電電路，用以激勵(lì)出相互正交的電場(chǎng)；所述饋電電路包括第一饋電電路和第二饋電電路，所述第一饋電電路和/或所述第二饋電電路的末端設(shè)置用以增加所述耦合縫隙電磁耦合量的折彎，所述第一饋電電路和所述第二饋電電路為等幅同相的二功分，所述折彎呈L形；

所述第二PCB介質(zhì)基板頂面的金屬銅層上設(shè)有金屬輻射貼片，用以對(duì)來(lái)自所述耦合縫隙的電磁波進(jìn)行耦合并產(chǎn)生寄生輻射，所述金屬輻射貼片包括：金屬輻射貼片本體和圍擋在所述金屬輻射貼片本體外周的金屬圍欄，所述金屬圍欄與所述金屬輻射貼片本體保持一定的距離，使在所述金屬圍欄和所述金屬輻射貼片本體之間留有縫隙，用以產(chǎn)生多個(gè)頻率的寄生輻射和拓寬天線的帶寬。

2.如權(quán)利要求1所述的用于LTE頻段的雙極化微帶縫隙天線，其特征在于，所述耦合縫隙包括第一耦合縫隙、第二耦合縫隙，第三耦合縫隙以及第四耦合縫隙，所述第一耦合縫隙和所述第二耦合縫隙設(shè)置在同一直線上，所述第三耦合縫隙和所述第四耦合縫隙設(shè)置在同一直線上，所述第一耦合縫隙和所述第二耦合縫隙所在的直線垂直于所述第三耦合縫隙和所述第四耦合縫隙所在的直線，其中：

所述第一耦合縫隙、第二耦合縫隙、所述第三耦合縫隙以及所述第四耦合縫隙彼此之間分別設(shè)有一定的距離，用以提高天線的隔離度。

3.如權(quán)利要求2所述的用于LTE頻段的雙極化微帶縫隙天線，其特征在于，任一所述第一耦合縫隙、第二耦合縫隙，第三耦合縫隙以及第四耦合縫隙包括：縫隙本體和自所述縫隙本體的端部延伸設(shè)置的頭部，所述頭部的延展方向與所述縫隙本體的延展方向垂直，其中：通過(guò)改變所述頭部延展方向的長(zhǎng)度以降低所述縫隙本體延展方向的長(zhǎng)度。

4.如權(quán)利要求3所述的用于LTE頻段的雙極化微帶縫隙天線，其特征在于，所述縫隙本體的寬度與第一PCB介質(zhì)基板上具有的微帶線的寬度比范圍為0.8-1.2，所述縫隙本體的長(zhǎng)度取值范圍為電磁波長(zhǎng)的0.3-0.5倍。

5.如權(quán)利要求1所述的用于LTE頻段的雙極化微帶縫隙天線，其特征在于，所述第一饋電電路包括兩個(gè)分支，所述第二饋電電路包括兩個(gè)分支，其中：所述第一饋電電路的一個(gè)分支與所述第二饋電電路的一個(gè)分支布置為正交，所述第一饋電電路的另一個(gè)分支與所述第二饋電電路的另一個(gè)分支在相交的節(jié)點(diǎn)處橋接。

6.如權(quán)利要求5所述的用于LTE頻段的雙極化微帶縫隙天線，其特征在于，所述橋接結(jié)構(gòu)包括：將所述第一饋電電路一個(gè)分支的饋電電路和/或所述第二饋電電路一個(gè)分支的饋電電路截?cái)啵诮財(cái)嗵幵O(shè)置覆銅的PCB金屬化過(guò)孔將截?cái)嗵幭噙B，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。

7.如權(quán)利要求5所述的用于LTE頻段的雙極化微帶縫隙天線，其特征在于，所述第一饋電電路的分支與所述第二饋電電路的分支在相交的節(jié)點(diǎn)處設(shè)有經(jīng)電磁波波長(zhǎng)阻抗變換的微帶線，用以連接第一PCB介質(zhì)基板上的微帶線并對(duì)所述耦合縫隙進(jìn)行饋電。

8.如權(quán)利要求1所述的用于LTE頻段的雙極化微帶縫隙天線，其特征在于，所述第一PCB介質(zhì)基板的相對(duì)介電常數(shù)取值范圍在2.2-2.3之間，所述第一PCB介質(zhì)基板的后度尺寸范圍在0.8mm-1.5mm。

9.如權(quán)利要求1所述的用于LTE頻段的雙極化微帶縫隙天線，其特征在于，所述第二PCB介質(zhì)基板的相對(duì)介電常數(shù)取值范圍在3.5-4.4之間，所述第二PCB介質(zhì)基板的后度尺寸范圍在0.5mm-1.5mm。