[發明專利]鋁箔氣隙修補生產線及填充方法

有效

• 申請號: 201610000120.0
• 申請日: 2016-01-01
• 公開（公告）號: CN105478477B
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: 沈國忠
• 申請（專利權）人: 杭州巨力絕緣材料有限公司
• 主分類號: B21B1/40
• 分類號: B21B1/40;B05C19/00
• 代理公司: 杭州中平專利事務所有限公司33202
• 代理人: 翟中平

技術領域

本發明涉及一種既能夠有效地將鋁箔面自身存在的通透孔隙、縫隙填充密封，又能將鋁箔面自身存在的凹槽、線槽填充修補的鋁箔氣隙修補生產線及填充方法，屬通信用鋁箔二次加工制造領域。

背景技術

CN103785800A、名稱“一種雙零鋁箔的生產方法”，包括對鋁合金熔融體進行除氣除渣后鑄軋成厚度為6.5～8.0mm的鑄軋卷的步驟，將鑄軋卷經第一次冷軋軋制成厚度為2.0～3.0mm的鋁卷的步驟，將第一次冷軋后的鋁卷在450～550℃的溫度下進行15～20小時的第一次熱處理的步驟，將第一次熱處理后的鋁卷經第二次冷軋軋制成厚度為0.6～0.8mm的鋁卷的步驟，以及將第二次冷軋后的鋁卷在300～380℃的溫度下進行6～12小時的第二次熱處理的步驟，其特征在于：將第二次熱處理后的鋁卷經第三次軋制成0.05～0.1mm厚度的鋁卷，然后將鋁卷放置在熱處理設備中，并加熱到鋁箔再結晶臨界溫度，保持5～10小時，以便使鋁箔的晶粒結構發生改變，之后將鋁箔進行第四次冷軋軋制成0.006～0.009mm的雙零鋁箔；所述鋁箔再結晶臨界溫度為250～310℃。其不中之處：依然無法解決鋁箔軋制過程中由于鋁本身細小雜質及軋輥面不潔所帶來的被軋制鋁箔面孔隙、縫隙缺陷的產生，而這些孔隙和縫隙存在鋁箔在用于通信光纜、電纜屏蔽包裹時，將會導致通信信號的衰減、外界信號對通信信號的干擾，以及回波損耗現象的發生。

發明內容

設計目的：避免背景技術中的不足，設計一種既能夠有效地將鋁箔面自身存在的通透孔隙、縫隙填充密封，又能將鋁箔面自身存在的凹槽、線槽填充修補的鋁箔氣隙修補生產線及填充方法。

設計方案：為實現上述設計目的。1、鋁箔的一面或雙面氣隙采用納米鋁修補的設計，是本發明的技術特征之一。這樣設計的目的在于：納米鋁的平均粒徑為55nm，而鋁箔軋制過程中所產生的孔隙及縫隙往往大于55nm，因而它能將鋁箔軋制過程中所產生的通透或不通透的孔隙、縫隙徹底填充且不增加鋁箔本身的厚度，使鋁箔的屏蔽性得到了根本性的提高，避免了回波損耗現象的發生。2、采用靜電摩擦發生器使鋁箔表面產生靜電的設計，是本發明的技術特征之二。這樣設計的目的在于：由本申請采用易于產生靜電的材料制作上下絨毛墊，當鋁箔強制經過上下絨毛墊間時被絨毛摩擦產生靜電，帶有靜電的鋁箔通過納米涂覆裝置時，由于維米涂覆裝置內的納米鋁在上下氣缸推動活塞的作用下，使納米鋁形成帶壓納米鋁，訪納米鋁吸附在帶有靜電的鋁箔面上后，在經過納米鋁碾壓成型裝置中對輥碾壓輥碾壓，不僅可以將鋁箔面的孔隙、縫隙填充修補，而且可以將鋁箔面凹槽、線槽修補，最后通過凈面刷將多余的納米鋁清除即可得到高品質鋁箔。

技術方案1：一種鋁箔氣隙修補生產線，鋁箔放卷輥和鋁箔收卷輥間依次設有靜電摩擦發生器、納米涂覆裝置及納米鋁碾壓成型裝置；靜電摩擦發生器、納米涂覆裝置及納米鋁碾壓成型裝置分別開有供鋁箔進出的進出口，鋁箔由鋁箔收卷輥放出后，依次通過靜電摩擦發生器、納米涂覆裝置、納米鋁碾壓成型裝置后，被修補后鋁箔由鋁箔收卷輥收卷，鋁箔收卷輥由減速電機驅動轉動。

技術方案2：一種鋁箔氣隙修補生產線的填充方法，工作時，啟動電機開關，電機驅動鋁箔收卷輥和納米鋁碾壓成型裝置中的對輥碾壓輥轉動，鋁箔在鋁箔收卷輥的牽引下由鋁箔放卷輥進入靜電摩擦發生器，通過靜電摩擦發生器中上下絨毛墊的強制摩擦后，鋁箔表面產生靜電，當表面帶有靜電的鋁箔在通過納米涂覆裝置的過程中，將納米涂覆裝置中納米鋁吸附在其表面，然后通過納米鋁碾壓成型裝置中的對輥碾壓輥的碾壓，納米鋁被對輥碾壓輥壓實將鋁箔面上的氣隙修補完好，經過凈面刷將鋁箔面多余的納米鋁清除，最后被鋁箔收卷輥收卷。

本發明與背景技術相比，一是鋁箔面氣隙采用同屬性納米鋁填充修補，不僅大大地提高了鋁箔的密實度，而且使低檔次鋁箔上升為高檔鋁箔，附加值得到了極大地提升；二是填充修補后的通信鋁箔不僅絕緣強度高、屏蔽效果好、而避免了回波損耗現象的發生，產生了預想不到的技術效果和經濟效益。

附圖說明

圖1是鋁箔氣隙修補生產線的結構示意圖。

具體實施方式