[發明專利]非平面晶體管中的柵極隔離

有效

• 申請號: 201580085575.0
• 申請日: 2015-12-26
• 公開（公告）號: CN108369959B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: L.P.古勒;G.比馬拉塞蒂;V.沙爾馬;W.M.哈費茨;C.P.奧思
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張凌苗;鄭冀之

1.一種用于晶體管的裝置，包括：

彼此平行的第一和第二半導體鰭片；

在第一半導體鰭片上的第一柵極，其包括在第一和第二半導體鰭片之間的第一柵極部分；

在第二半導體鰭片上的第二柵極，其包括在第一和第二半導體鰭片之間的第二柵極部分；

沿第一柵極部分的第一面延伸的第一氧化物層，沿第二柵極部分的第二面延伸的第二氧化物層，以及將第一和第二氧化物層直接連接到彼此的第三氧化物層；以及

在第一和第二柵極部分之間的絕緣材料；

其中，第一、第二和第三氧化物層每個包括氧化物材料，并且絕緣材料不包括所述氧化物材料，

其中，第三氧化物層具有第一和第二相對側壁，所述第一和第二相對側壁將第一和第二氧化物層連接到彼此，所述第一和第二相對側壁關于第三氧化物層是凸的。

2.如權利要求1所述的裝置，其中，第一水平軸線與第一和第二半導體鰭片、第一和第二柵極部分、第一和第二氧化物層以及絕緣材料相交。

3.如權利要求2所述的裝置，其中，第一水平軸線不與第三氧化物層相交。

4.如權利要求3所述的裝置，其中，第一和第二氧化物層是基本上垂直的，并且第三氧化物層是基本上水平的。

5.如權利要求2所述的裝置，其中，在第一和第二半導體鰭片之間沒有附加的半導體鰭片。

6.如權利要求1所述的裝置，其中，第一和第二面彼此相對。

7.如權利要求6所述的裝置，其中：

第三氧化物層具有第一和第二相對側壁，所述第一和第二相對側壁每個將第一和第二氧化物層連接到彼此；

所述第一和第二相對側壁的中間部分遠離彼此彎曲。

8.如權利要求1所述的裝置，其中：

第三氧化物層具有第一和第二相對側壁；

所述第一相對側壁在第一和第二接觸點處將第一和第二氧化物層連接到彼此；

第一和第二接觸點距彼此第一距離；并且

第一和第二面的中間部分距彼此第二距離，第二距離小于第一距離。

9.如權利要求2所述的裝置，其中，第一和第二面在與第一和第二半導體鰭片相交的水平平面中是基本上非彎曲的和線性的。

10.如權利要求2所述的裝置，其中，氧化物材料包括氧化硅，并且絕緣材料包括氮化物。

11.如權利要求10所述的裝置，其中，氧化物材料包括氧化鋁。

12.如權利要求1所述的裝置，其中，氧化物材料包括氧化硅和氧化鋁。

13.如權利要求1所述的裝置，其中，第一和第二柵極每個包括金屬。

14.如權利要求1所述的裝置，其中：

絕緣材料從第三氧化物層延伸到第一和第二半導體鰭片的上部；以及

與第三氧化物層相鄰的絕緣材料比與第一和第二半導體鰭片的上部相鄰的絕緣材料更窄。

15.如權利要求14所述的裝置，其中：

第一氧化物層具有與第三氧化物層相鄰的第一厚度；

第一氧化物層具有在第一氧化物層的最上部分處的第二厚度；以及

第一厚度比第二厚度厚。

16.如權利要求1所述的裝置，包括片上系統（SoC），所述片上系統（SoC）包括第一、第二和第三氧化物層。