[發(fā)明專利]經(jīng)過顯色處理的基板及該基板的顯色處理方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580082866.4
• 申請日: 2015-12-23
• 公開（公告）號: CN107949658A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭鉉珠;李鐘錫;李正熙
• 申請（專利權(quán)）人: POSCO公司
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00;C23C16/06;C23C16/22;C23C16/455;C23C16/40;C23C14/08;C23C14/14;C23C14/16
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11002
• 代理人: 趙赫,趙愛玲

1.一種經(jīng)過顯色處理的基板，其包括：

鎂基材；

薄膜，配置在所述基材上，并且包括金屬氧化物；及

波長轉(zhuǎn)換層，配置在所述薄膜上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)過顯色處理的基板，其特征在于，

金屬氧化物是選自由氧化硅、氧化鈦及氧化鋁組成的組中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)過顯色處理的基板，其中，

所述波長轉(zhuǎn)換層包括選自由鋁(Al)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、金(Au)、鉬(Mo)、銀(Ag)、錳(Mn)、鋯(Zr)、鈀(Pd)、鉑金(Pt)、鈷(Co)、鎘(Cd)、鎳(Ni)及銅(Cu)組成的組中的一種以上的金屬或者金屬離子。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)過顯色處理的基板，其中，

所述波長轉(zhuǎn)換層的平均厚度為5nm至200nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)過顯色處理的基板，其中，

薄膜的平均厚度為1nm至6μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)過顯色處理的基板，其中，

存在于波長轉(zhuǎn)換層上的任意區(qū)域，即橫向1cm和縱向1cm的區(qū)域中的任意三點(diǎn)的各點(diǎn)之間的平均色坐標(biāo)偏差ΔL*、Δa*、Δb*滿足ΔL*＜0.5、Δa*＜0.6及Δb*＜0.6中的一個以上的條件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)過顯色處理的基板，其特征在于，

所述基板還包括形成在波長轉(zhuǎn)換層上的表面涂層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的經(jīng)過顯色處理的基板，其中，

表面涂層包括選自由氧化硅、氧化鈦及氧化鋁組成的組中的一種以上的金屬氧化物。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)過顯色處理的基板，其中，

對形成有薄膜的鎂基材表面進(jìn)行耐磨性評價時，滿足以下的一般式1的條件，

[一般式1]

0.3≤400/π·W²≤20

在所述一般式1中，W表示利用平均直徑為6mm的球以50N的負(fù)載、3cm/s的速度來劃一次薄膜表面時表面產(chǎn)生的劃痕的平均寬度，單位為Gpa。

10.一種基板的顯色處理方法，其包括以下步驟：

在鎂基材上形成薄膜；及

在所述薄膜上形成波長轉(zhuǎn)換層，

所述薄膜包括金屬氧化物。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板的顯色處理方法，其中，

形成薄膜和波長轉(zhuǎn)換層的步驟通過化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積或者原子層沉積來執(zhí)行。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板的顯色處理方法，其中，

化學(xué)氣相沉積包括等離子體化學(xué)氣相沉積。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板的顯色處理方法，其特征在于，

等離子體化學(xué)氣相沉積溫度為100至500℃。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板的顯色處理方法，其特征在于，

等離子體化學(xué)氣相沉積速度為0.5至1500nm/min。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板的顯色處理方法，其特征在于，

所述方法還包括以下步驟中的任意一個以上的步驟：

在形成薄膜的步驟之前，對鎂基材的表面進(jìn)行預(yù)處理；及

在形成波長轉(zhuǎn)換層的步驟之后，在波長轉(zhuǎn)換層上形成表面涂層。