[發(fā)明專利]通過選擇性氧化的多高度FINFET器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580080408.7
• 申請日: 2015-06-27
• 公開（公告）號: CN107683529B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: S·金;G·比馬拉塞蒂;R·里奧斯;J·T·卡瓦列羅斯;T·加尼;A·S·默西;R·米恩德魯
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L27/12;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝;王英

1.一種用于形成半導(dǎo)體裝置的方法，包括：

在襯底上形成多柵極器件的非平面導(dǎo)電溝道，所述溝道包括在所述襯底的表面處從基底定義的高度尺寸；

在所述溝道上形成催化劑材料的層，其中所述催化劑材料包括具有將增強所述溝道的材料的氧化的特性的材料，以減小所述溝道的所述材料的氧化溫度；

氧化所述溝道的小于整個部分，其中所述溝道布置在所述襯底上的結(jié)區(qū)之間，并且其中所述溝道的相對側(cè)中的每一側(cè)上的所述結(jié)區(qū)所具有的底表面在所述溝道的導(dǎo)電部分的底表面下方；以及

在所述溝道上形成柵極疊層，所述柵極疊層包括電介質(zhì)材料和柵極電極。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中氧化所述溝道包括使所述溝道受到小于所述溝道的材料的氧化溫度的溫度。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述催化劑材料的層僅在所述溝道的基底處形成。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述催化劑材料的層在所述溝道上從所述溝道的所述基底形成到小于所述溝道的頂點的高度。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述催化劑材料的層在所述溝道的長度的一半上形成。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述催化劑層包括將所述催化劑層沉積在所述溝道的整個高度尺寸上，并且在沉積之后，所述方法包括從所述溝道的高度尺寸的一部分移除所述催化劑材料的層。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述方法還包括氧化所述襯底的在所述結(jié)區(qū)之下的一部分。

8.如權(quán)利要求1-7中的任一項所述的方法，其中在形成所述柵極疊層之前，所述方法包括相鄰于所述溝道將電介質(zhì)材料引入到等于所述溝道的氧化部分的高度。

9.一種用于形成半導(dǎo)體裝置的方法，包括：

在襯底上形成多柵極器件的非平面導(dǎo)電溝道；

在所述溝道上形成催化劑材料的層，其中所述催化劑材料包括具有將增強所述溝道的材料的氧化的特性的材料，以減小所述溝道的所述材料的氧化溫度；

氧化所述溝道的一部分，所氧化的部分由從所述襯底的表面測量的所述溝道的高度尺寸定義，所述高度尺寸小于所述溝道的總高度尺寸，其中所述溝道布置在所述襯底上的結(jié)區(qū)之間，并且其中所述溝道的相對側(cè)中的每一側(cè)上的所述結(jié)區(qū)所具有的底表面在所述溝道的導(dǎo)電部分的底表面下方；以及

在所述溝道上形成柵極疊層，所述柵極疊層包括電介質(zhì)材料和柵極電極。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中氧化所述溝道包括使所述溝道受到小于所述溝道的材料的氧化溫度的溫度。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中在所述溝道上形成所述催化劑材料的層包括在所述溝道的整個部分上沉積所述催化劑材料的層，并且在氧化之前，所述方法還包括移除所述催化劑材料的層的一部分。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中移除所述催化劑材料的層的一部分包括從所述溝道的總高度尺寸的至少一半移除所述層。

13.如權(quán)利要求9-12中的任一項所述的方法，其中所述方法還包括氧化所述襯底的在所述結(jié)區(qū)之下的一部分。

14.如權(quán)利要求9-12中的任一項所述的方法，其中在形成所述柵極疊層之前，所述方法包括相鄰于所述溝道將電介質(zhì)材料引入到等于所述溝道的氧化部分的高度。