[發明專利]用于后端工藝(BEOL)互連件的借助使用自底向上交聯的電介質的圖像色調反轉

有效

• 申請號: 201580080204.3
• 申請日: 2015-06-22
• 公開（公告）號: CN108012561B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: R·L·布里斯托爾;J·M·布萊克韋爾;R·胡拉尼
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/768
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;韓宏

1.一種制造用于半導體結構的金屬化層的方法，所述方法包括：

在形成在襯底上方的層間電介質(ILD)層中形成多個溝槽；

在所述多個溝槽中形成化學放大的光致抗蝕劑；

使用正性色調處理從所述多個溝槽中的一個或多個溝槽去除所述化學放大的光致抗蝕劑，但不是從所述多個溝槽中的全部溝槽去除所述化學放大的光致抗蝕劑；

在所述ILD層的暴露出的部分上，包括在所述多個溝槽中的一個或多個溝槽的側壁上但不是在所述化學放大的光致抗蝕劑的剩余部分上，形成預催化劑層；

在所述ILD層上方、在所述預催化劑層上、在所述多個溝槽中的一個或多個溝槽中以及在所述化學放大的光致抗蝕劑的所述剩余部分上方形成電介質材料；

使電介質材料的在所述多個溝槽中的所述一個或多個溝槽中靠近所述預催化劑層的部分交聯，但不使電介質層的在所述化學放大的光致抗蝕劑的所述剩余部分上方的部分交聯；

去除所述電介質層的未交聯的部分；

去除所述化學放大的光致抗蝕劑的所述剩余部分；以及

在去除所述化學放大的光致抗蝕劑之后形成的ILD層上形成的溝槽中形成導電結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，從所述多個溝槽中的所述一個或多個溝槽去除所述化學放大的光致抗蝕劑暴露出所述半導體結構的多個下面的金屬線。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述預催化劑層未形成在所述半導體結構的所述暴露出的多個下面的金屬線上。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述多個溝槽包括使用基于間距減半分或間距減為四分之一的圖案化方案來形成柵格狀圖案。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述預催化劑層包括通過直接吸附形成催化劑層或預催化劑層。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述預催化劑層包括通過共價粘附形成催化劑層或預催化劑層。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述電介質材料包括通過旋涂工藝形成所述電介質材料。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，使所述電介質材料的所述部分交聯包括熱固化所述電介質材料的所述部分。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，在相同的工藝操作中去除所述電介質層的未交聯部分和所述化學放大的光致抗蝕劑的所述剩余部分。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，在與用于去除所述電介質層的所述未交聯部分的工藝操作不同的隨后的工藝操作中去除所述化學放大的光致抗蝕劑的所述剩余部分。

11.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在去除所述化學放大的光致抗蝕劑的所述剩余部分和所述電介質層的所述未交聯部分之后，執行對所述電介質材料的所述交聯部分的附加固化。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述導電結構包括形成過量的金屬填充材料并隨后平坦化所述金屬填充材料。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，使所述電介質材料的部分交聯包括形成由O基團聯接在一起的交聯的三硅雜環己烷。