[發明專利]用于X射線螢光的檢測器

有效

• 申請號: 201580080012.2
• 申請日: 2015-06-10
• 公開（公告）號: CN107615095B
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 曹培炎;劉雨潤
• 申請（專利權）人: 深圳幀觀德芯科技有限公司
• 主分類號: G01T1/16
• 分類號: G01T1/16
• 代理公司: 深圳市六加知識產權代理有限公司 44372
• 代理人: 羅水江

1.一種檢測器，其包括：

多個像素，每個像素配置成在一段時間內對其上入射的、能量落在多個倉中的X射線光子的數目計數；并且

其中，所述檢測器配置成將所有像素的落入具有相同能量范圍的倉中的X射線光子的數目求和。

2.如權利要求第1所述的檢測器，其進一步配置成將添加的數目編制成為所述檢測器上入射的X射線光子的光譜。

3.如權利要求第1所述的檢測器，其中所述多個像素采用陣列設置。

4.如權利要求第1所述的檢測器，其中所述像素配置成在相同時段內對X射線光子的數目計數。

5.如權利要求第1所述的檢測器，其中所述像素中的每個包括模數轉換器(ADC)，其配置成使代表入射X射線光子能量的模擬信號數字化為數字信號。

6.如權利要求第1所述的檢測器，其中所述像素配置成平行作業。

7.如權利要求第1所述的檢測器，其中所述像素中的每個配置成測量它的暗電流。

8.如權利要求第7所述的檢測器，其中所述像素中的每個配置成在每個X射線光子入射在其上之前或與之并發地測量它的暗電流。

9.如權利要求第7所述的檢測器，其中所述像素中的每個配置成從其上入射的X射線光子的能量減去所述暗電流的貢獻。

10.如權利要求第7所述的檢測器，其中所述像素中的每個配置成通過測量電壓增加閾值所花的時間來測量它的暗電流。

11.如權利要求第5所述的檢測器，其中所述ADC是逐次逼近寄存器(SAR)ADC。

12.如權利要求第1所述的檢測器，其進一步包括：

X射線吸收層，其包括電觸點；

第一電壓比較器，其配置成將所述電觸點的電壓與第一閾值比較；

第二電壓比較器，其配置成將所述電壓與第二閾值比較；

控制器；

多個計數器，每個與倉關聯并且配置成記錄像素中的每個所吸收的X射線光子的數目，其中所述X射線光子的能量落在倉中；

其中所述控制器配置成從所述第一電壓比較器確定所述電壓的絕對值等于或超出所述第一閾值的絕對值的時間啟動時間延遲；

其中所述控制器配置成確定X射線光子的能量是否落入倉內；

其中所述控制器配置成促使與所述倉關聯的計數器記錄的數目增加一。

13.如權利要求第12所述的檢測器，其進一步包括電連接到所述電觸點的電容器模組，其中所述電容器模組配置成從所述電觸點收集載流子。

14.如權利要求第12所述的檢測器，其中所述控制器配置成在所述時間延遲開始或終止時啟動所述第二電壓比較器。

15.如權利要求第12所述的檢測器，其中所述控制器配置成使所述電觸點連接到電接地。

16.如權利要求第12所述的檢測器，其中所述電壓的變化率在所述時間延遲終止時大致為零。

17.如權利要求第12所述的檢測器，其中所述X射線吸收層包括二極管。

18.如權利要求第12所述的檢測器，其中所述X射線吸收層包括硅、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe或其組合。

19.如權利要求第1所述的檢測器，其中所述檢測器不包括閃爍體。