[發明專利]表面增強發光電場生成底座

有效

• 申請號: 201580079511.X
• 申請日: 2015-07-29
• 公開（公告）號: CN107567583B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: S·巴塞羅;葛寧;李智勇
• 申請（專利權）人: 惠普發展公司;有限責任合伙企業
• 主分類號: G01N21/65
• 分類號: G01N21/65;G01N21/64;G01N21/01
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王洪斌;陳嵐

1.一種分析物檢測裝置，包括：

表面增強發光SEL結構；

SEL結構下面的電介質層；以及

電介質層下面的電場生成底座，電場生成底座在SEL結構周圍施加電場以將帶電離子吸引到SEL結構;

其中所述分析物檢測裝置還包括SEL結構從其延伸的金屬基板，其中電介質層在金屬基板下面;

其中所述分析物檢測裝置還包括金屬基板上方和SEL結構之上的外殼；

其中所述外殼包括形成對電極的金屬層。

2.權利要求1所述的分析物檢測裝置，其中電場生成底座包括集成晶體管。

3.權利要求1所述的分析物檢測裝置，其中電場生成底座包括浮柵。

4.權利要求1所述的分析物檢測裝置，其中電場生成底座包括可擦除可編程只讀存儲器EPROM芯片。

5.權利要求1所述的分析物檢測裝置，其中電場生成底座包括：

襯底；

由襯底支撐的源極電極；

由襯底支撐的漏極電極；

在源極電極與漏極電極之間的溝道材料；以及

與源極電極與漏極電極之間的溝道材料相對間隔開的浮柵，其中電介質層在浮柵與SEL結構之間。

6.一種裝置，包括：

提供電場生成底座的可擦除可編程只讀存儲器EPROM器件；

由EPROM器件支撐的電介質層；以及

在電介質層上方延伸的電介質表面增強發光SEL結構;

其中所述可擦除可編程只讀存儲器EPROM器件包括浮柵；

其中所述裝置還包括由電介質層支撐的金屬基板；

其中所述裝置還包括與金屬基板協作以在SEL結構周圍形成腔體的外殼；以及

其中所述外殼包括形成對電極的金屬層。

7.一種方法，包括：

在電場生成底座的上電介質層上方形成表面增強發光SEL結構；

其中所述方法還包括在電介質層上方形成金屬基板和在金屬基板上方形成外殼，所述外殼與金屬基板協作以形成腔體并且支撐與金屬基板間隔開的對電極；

其中所述外殼包括形成對電極的金屬層。

8.權利要求7所述的方法，還包括在電場生成底座上存儲電荷。

9.權利要求7所述的方法，其中電場生成底座包括浮柵晶體管。