[發(fā)明專利]具有交聯(lián)電絕緣系統(tǒng)的能量電纜，和從中提取交聯(lián)性副產(chǎn)物的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580078984.8
• 申請(qǐng)日: 2015-04-22
• 公開（公告）號(hào): CN107533885B
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·斯卡;P·阿內(nèi)利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 普睿司曼股份公司
• 主分類號(hào): H01B7/17
• 分類號(hào): H01B7/17;H01B3/00;H01B13/00;H01B13/22
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 任宗華

1.一種能量電纜，它包含至少一個(gè)電纜芯，所述電纜芯包含電導(dǎo)體，含內(nèi)部半導(dǎo)層、絕緣層和外部半導(dǎo)層的交聯(lián)電絕緣系統(tǒng)，以及置于電導(dǎo)體和內(nèi)部半導(dǎo)層之間的沸石顆粒，其中所述沸石顆粒(a)其SiO₂/Al₂O₃摩爾比等于或低于20；(b)以Na₂O表示的鈉含量等于或低于0.3wt％；(c)選自銨(NH₄⁺)和氫(H⁺)中的電荷補(bǔ)償陽離子。

2.如權(quán)利要求1所述的能量電纜，其中沸石顆粒與內(nèi)部半導(dǎo)層接觸放置。

3.如權(quán)利要求1所述的能量電纜，其中沸石顆粒另外放置于外部半導(dǎo)層內(nèi)或者與之接觸放置。

4.如權(quán)利要求3所述的能量電纜，其中沸石顆粒與外部半導(dǎo)層接觸放置。

5.如權(quán)利要求1所述的能量電纜，其中沸石顆粒分散在基底上，這種基底包括紗線或帶狀物中的任何一種。

6.如權(quán)利要求1所述的能量電纜，其中沸石顆粒的存在量小于0.01g/cm³。

7.如權(quán)利要求6所述的能量電纜，其中沸石顆粒的存在量最多0.008g/cm³。

8.如權(quán)利要求1所述的能量電纜，其中沸石顆粒具有等于或小于15的SiO₂/Al₂O₃摩爾比。

9.如權(quán)利要求1所述的能量電纜，其中沸石顆粒具有可沿著至少一個(gè)晶胞軸方向擴(kuò)散的等于或大于3埃的球體最大直徑。

10.從能量電纜芯的交聯(lián)電絕緣系統(tǒng)中提取交聯(lián)性副產(chǎn)物的方法，所述方法按序包括下述步驟：

制造能量電纜芯，所述能量電纜芯包含電導(dǎo)體，含有交聯(lián)性副產(chǎn)物且包含內(nèi)部半導(dǎo)層、絕緣層和外部半導(dǎo)層的交聯(lián)電絕緣系統(tǒng)，以及置于電導(dǎo)體和內(nèi)部半導(dǎo)層之間的沸石顆粒，其中所述沸石顆粒(a)其SiO₂/Al₂O₃摩爾比等于或低于20；(b)以Na₂O表示的鈉含量等于或低于0.3wt％；(c)選自銨(NH₄⁺)和氫(H⁺)中的電荷補(bǔ)償陽離子，

加熱該能量電纜芯最高至引起交聯(lián)性副產(chǎn)物從交聯(lián)的電絕緣系統(tǒng)遷移到沸石顆粒中的溫度，由此沸石顆粒吸收交聯(lián)性副產(chǎn)物；和

然后圍繞能量電纜芯放置金屬屏蔽。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中在70℃至80℃的溫度下進(jìn)行加熱步驟7至15天的時(shí)間。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中加熱步驟引起至少一部分交聯(lián)性副產(chǎn)物不可逆地吸收到沸石顆粒內(nèi)部。