[發明專利]用于待處理的基板的載體系統在審
| 申請號: | 201580078653.4 | 申請日: | 2015-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN107438897A | 公開(公告)日: | 2017-12-05 |
| 發明(設計)人: | 喬斯·曼紐爾·迭格斯-坎波;格奧爾·約斯特;斯蒂芬·凱勒;安科·赫爾密西;托馬斯·格比利 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金國,趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 載體 系統 | ||
技術領域
本發明的實施方式涉及一種用于在處理期間承載基板的載體系統。本發明的實施方式具體涉及具有主載體和副載體的載體系統,特別地涉及用于在真空工藝中承載待處理的基板、具有主載體和副載體的載體系統。
背景技術
已知用于在基板上沉積材料的若干種方法。例如,可以通過物理氣相沉積(PVD)工藝、化學氣相沉積(CVD)工藝、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)工藝等來涂覆基板。通常,所述工藝在待涂覆的基板所位于的處理設備或處理腔室中進行。在所述設備中提供沉積材料。多種材料,也可以是所述多種材料的氧化物、氮化物或碳化物,可以用于沉積在基板上。
涂覆的材料可以用于若干應用中和若干技術領域中。例如,在微電子領域的應用中,諸如生成半導體裝置。此外,用于顯示器的基板通常通過PVD工藝涂覆。另外的應用包括絕緣板、電池、有機發光二極管(OLED)面板、具有TET的基板、濾色器或類似物。
在涂覆工藝或其他沉積工藝中,將基板有用地支撐在載體中。例如,可以將基板裝載在載體中,然后將載體傳送通過基板處理設備或沉積設備,以在基板上沉積層或層堆疊。載體可以在沉積期間用于一個或多個基板。
還存在其中將一個或多個基板分離成對應于待制造的裝置的大小的多個較小塊(小基板),并且所述小基板對應于待處理的裝置大小的基板處理應用。例如,可以將層或層堆疊沉積在大小為1m2或更小的基板上。在具有裝置大小的多個基板上的沉積有利地仍然在大面積規模上進行,即在對應于大面積基板(例如1.2m2或更大)的處理區域內進行。在一些系統中,可以由載體支撐多個基板,或者可以提供承載待處理基板并且耦接至主載體的副載體。
鑒于上述情況,各實施方式的目的是提供用于承載待處理的一個或多個基板、克服了本領域中的至少一些問題的副載體、主載體和載體系統。
發明內容
鑒于上述,提供了根據獨立權利要求的用于待處理基板的副載體、用于真空處理設備的主載體、載體系統,以及用于傳遞熱量的方法。其他方面、優點和特征根據從屬權利要求、說明書和附圖顯而易見。
根據一個實施方式,提供了用于待在真空腔室中處理的基板的副載體。副載體包括具有基板支撐部分表面的基板支撐部分,其中基板支撐部分被配置用于支撐一個或多個待處理基板。基板支撐部分包括一個或多個開口。副載體還包括基板耦接裝置,所述基板耦接裝置被配置用于將至少一個基板保持在基板支撐部分表面上且基板與一個或多個開口至少部分地重疊的位置處。此外,副載體被配置為耦接至主載體。
根據另一實施方式,提供了一種用于真空處理設備的主載體。主載體包括主載體框架和由主載體框架圍繞的副載體支撐部分。副載體支撐部分具有帶交叉格柵的網格(grid)形狀,所述交叉格柵被配置為支撐用于待處理基板的一個或多個副載體。
根據另一實施方式,提供了一種用于待處理基板的載體系統。載體系統包括主載體,所述主載體包括用于將一個或多個副載體耦接到主載體的副載體耦接裝置。所述主載體包括具有帶交叉格柵的網格形狀的副載體支撐部分,其中副載體耦接裝置提供在格柵處。所述載體系統還包括用于支撐至少一個待處理基板的副載體,其中副載體包括一個或多個開口。副載體還包括用于耦接所述至少一個基板的基板耦接裝置,其中基板耦接裝置被配置用于將基板保持在與副載體的開口部分地重疊的位置。
根據另一實施方式,提供了一種用于在載體系統中傳遞熱量的方法。所述方法包括提供主載體,所述主載體包括主載體框架和副載體支撐部分,所述副載體支撐部分由所述主載體框架圍繞并且具有帶交叉格柵的網格形狀,所述交叉格柵被配置為支撐用于待處理基板的至少一個副載體。主載體還包括用于將副載體耦接到多個格柵中的一個格柵的副載體耦接裝置。所述方法還包括使用副載體耦接裝置以在副載體面對主載體的格柵之間的網格開口的位置處將副載體連接到主載體。
實施方式還涉及用于執行所披露的方法的設備并且包括用于執行每個所述方法步驟的多個設備部分。這些方法步驟可以通過硬件部件、由適當軟件編程的計算機、通過兩者的任何組合或以任何其他方式來執行。此外,實施方式還可以涉及用來使所描述的設備運作的方法。所述方法包括用于執行設備的各個功能的方法步驟。
附圖說明
因此,以可以詳細地理解本公開內容的上述特征的方式,可以通過參考實施方式對上述簡要概述的本公開內容進行更具體的描述。附圖涉及本公開內容的實施方式,并在下面描述:
圖1示出了根據本文所述的實施方式的主載體的示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





