[發明專利]包含金屬納米線的透明導體及其形成方法

在審

• 申請號: 201580076315.7
• 申請日: 2015-12-15
• 公開（公告）號: CN107251160A
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發明（設計）人: M.拉克魯瓦;P.加西亞-胡安
• 申請（專利權）人: 索爾維公司
• 主分類號: H01B1/02
• 分類號: H01B1/02;H01B1/08;C03C17/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 麥振聲,周李軍

1.一種透明導體，包括：

基板；以及

在該基板上形成的導電層，其中該導電層包括包含多個金屬納米線的第一導電介質、以及包含多個導電納米顆粒的第二導電介質，

其中這些導電納米顆粒選自金屬氧化物納米顆粒，并且該多個金屬納米線嵌入在這些金屬氧化物納米顆粒的基質中，

其特征在于，這些金屬納米線的平均直徑是從20nm至50nm，并且這些納米顆粒的平均粒徑是如通過透射電子顯微鏡(TEM)測量的從10nm至30nm。

2.根據權利要求1所述的透明導體，其中這些金屬納米線的平均直徑是從25nm至45nm。

3.根據權利要求1或2所述的透明導體，其中這些金屬納米線的平均長度是至少10μm、優選大于10μm、更優選至少15μm。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的透明導體，其中該第二導電介質與該第一導電介質處于直接接觸和/或電連接。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的透明導體，其中該金屬納米線是銀納米線。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的透明導體，其中這些導電納米顆粒是銦錫氧化物(ITO)納米顆粒。

7.根據權利要求6所述的透明導體，其中溶液中的這些銦錫氧化物納米顆粒的次級平均粒徑是不超過100nm、優選不超過60nm。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的透明導體，該基板是柔性基板。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的透明導體，該導電層具有至少一種、優選兩種、更優選所有的以下特征：

-對于可見光至少80％、優選地至少85％、更優選地至少90％的透明度

-不超過1,000Ω/平方、優選地不超過500Ω/平方、更優選地不超過100Ω/平方的薄層電阻

-不超過5％、優選地不超過2％、更優選地不超過1.5％的霧度。

10.一種用于形成根據權利要求1至9中任一項所述的透明導體的方法，該方法包括：

在該基板的表面上施用用于形成包含該多個金屬納米線的該第一導電介質的第一組合物；以及

在其中形成該第一導電介質的該基板的表面上施用用于形成包含該多個導電納米顆粒的該第二導電介質的第二組合物。

11.根據權利要求10所述的方法，其中相對于該第一組合物的總重量，該第一組合物中這些金屬納米線的含量是從0.01wt％至1wt％、優選地0.02wt％至0.5wt％、更優選地0.05wt％至0.2wt％。

12.根據權利要求10或11所述的方法，其中相對于該第二組合物的總重量，該第二組合物中這些導電納米顆粒的含量是從5wt％至55wt％、優選地10wt％至45wt％、更優選地15wt％至35wt％。

13.一種透明導體，包括基板和在該基板上形成的導電層，該導電層至少包含多個金屬納米線，

其中該多個金屬納米線嵌入在金屬氧化物納米顆粒的基質中，

其特征在于，該導電層具有所有下列特征：

-對可見光至少90％的透明度

-不超過100Ω/平方的薄層電阻

-不超過1.5％的霧度。

14.一種透明導體，包括基板和在該基板上形成的導電層，該導電層至少包含多個金屬納米線并具有薄層電阻值R，

其特征在于，在將該導電層在周圍環境中暴露16周后薄層電阻值R的變化不超過±15％。

15.一種觸摸面板，包括根據權利要求1至9、13和14中任一項所述的透明導體。