[發明專利]在形成打印頭時去除金屬導體的傾斜段

有效

• 申請號: 201580075143.1
• 申請日: 2015-04-10
• 公開（公告）號: CN107206793B
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發明（設計）人: S·魯巴特;A·高爾特;S·P·麥克萊蘭
• 申請（專利權）人: 惠普發展公司;有限責任合伙企業
• 主分類號: B41J2/16
• 分類號: B41J2/16;B41J2/04
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 佘鵬;安文森

1.一種形成打印頭的方法，包括：

在第一電介質之上形成第一電阻器和第二電阻器；

在所述第一電阻器和所述第二電阻器之上形成第二電介質的第一部分，并且在所述第一電介質的處于所述第一電阻器和所述第二電阻器之間的區域中的暴露的傾斜表面之上形成所述第二電介質的第二部分；

在所述第二電介質的所述第一部分和所述第二部分之上形成金屬導體；以及

從所述第二電介質的所述第二部分的傾斜表面去除所述金屬導體的傾斜段，以暴露所述第二電介質的所述第二部分的所述傾斜表面。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二電介質的所述第二部分與所述第一電介質的所述傾斜表面直接物理接觸，并且其中，在所述第二電介質的所述第二部分之上形成所述金屬導體包括形成與所述第二電介質的所述第二部分的所述傾斜表面直接物理接觸的所述金屬導體的所述傾斜段。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述金屬導體的所述傾斜段不用于使所述金屬導體電隔離。

4.如權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第二電介質的所述第一部分之上形成可光成像材料的第一部分，并且在所述第一電阻器和所述第二電阻器之間的區域中以及在所述第二電介質的所述第二部分的暴露的傾斜表面之上形成所述可光成像材料的第二部分；

使所述可光成像材料的第二部分暴露于輻射，同時覆蓋所述可光成像材料的第一部分；以及

將所述可光成像材料的第一部分和第二部分暴露于溶劑，以去除所述可光成像材料的第一部分，同時留下所述可光成像材料的第二部分。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，去除所述金屬導體的所述傾斜段用于防止當所述金屬導體的所述傾斜段未被去除時在所述可光成像材料的第二部分暴露于所述輻射時發生的所述輻射從所述金屬導體的所述傾斜段的表面反射到所述可光成像材料的被覆蓋的第一部分。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬導體是第一金屬導體，并且還包括：

在處于所述第一電阻器和所述第二電阻器之間的區域中的第二金屬導體之上形成所述第二電介質的第三部分；以及

在所述第二電介質的所述第三部分之上形成所述第一金屬導體。

7.如權利要求6所述的方法，還包括從所述第二電介質的所述第三部分去除所述第一金屬導體，同時從所述第二電介質的所述第二部分的傾斜表面去除所述金屬導體的所述傾斜段。

8.一種形成打印頭的方法，包括：

在第一電介質之上的第一金屬導體之上，以及在所述第一金屬導體中的開口中的所述第一電介質之上形成電阻材料；

由所述開口中的所述電阻材料形成電阻器，并且形成包括所述第一金屬導體之上的所述電阻材料的堆疊，同時去除所述電阻材料的一部分和所述第一金屬導體的一部分，以在所述電阻器和所述堆疊之間的區域中形成所述第一電介質的傾斜表面；

在所述電阻器、所述第一電介質的所述傾斜表面和所述堆疊之上形成第二電介質；

在所述第二電介質之上形成第二金屬導體；以及

從與所述第一電介質的所述傾斜表面直接物理接觸的所述第二電介質的傾斜部分去除所述第二金屬導體的傾斜段。

9.如權利要求8所述的方法，還包括從所述第二電介質的處于所述堆疊之上并與所述堆疊直接物理接觸的部分去除所述第二金屬導體。