[發(fā)明專利]晶片針釘卡盤制造和修理

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580074060.0
• 申請日: 2015-11-23
• 公開（公告）號: CN107206567B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 愛德華·格萊特利克斯
• 申請（專利權(quán)）人: M丘比德技術(shù)公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;B24B37/14;B24B37/16;G03F7/20;H01L21/687
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 康艷青;姚開麗

1.一種用于工程設(shè)計(jì)晶片卡盤的晶片支撐表面的平坦度的方法，包括：

(a)提供晶片卡盤(60)，該晶片卡盤的用于支撐半導(dǎo)體晶片的表面包括多個(gè)針釘(10)，這些針釘?shù)慕K端表面被安排成與該半導(dǎo)體晶片相接觸；

(b)提供處理工具(64)，該處理工具用于處理這些針釘?shù)慕K端表面，所述處理工具包括：

(i)被安排成與這些針釘?shù)慕K端表面接觸的表面，其中接觸表面是呈圓或環(huán)帶的形狀；

(ii)該處理工具的該接觸表面至少與這些針釘?shù)慕K端表面一樣硬；

(iii)該處理工具的大小被設(shè)定成足以使得該處理工具能夠在這些針釘?shù)慕K端表面上移動(dòng)而不在相鄰針釘之間墜落到所述終端表面之下；

(c)向所述處理工具提供自重負(fù)載；并且

(d)使所述處理工具的接觸表面與所述晶片卡盤的針釘?shù)慕K端表面相接觸；以及

(e)使所述處理工具在所述針釘?shù)慕K端表面上共形移動(dòng)；

其特征在于，所述處理工具的接觸表面具有超環(huán)面，所述處理工具具有凹進(jìn)的中心區(qū)域并且具有比所述晶片卡盤的直徑小的直徑；其中，所述處理工具的超環(huán)面和所述凹進(jìn)的中心區(qū)域通過在研磨期間保持與相鄰的低點(diǎn)的接觸來使所述處理工具在高點(diǎn)上經(jīng)過時(shí)逐漸過渡。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該晶片卡盤是由陶瓷構(gòu)造的。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該晶片卡盤是由SiC陶瓷構(gòu)造的。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該處理工具是陶瓷。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該處理工具是與該晶片卡盤相同的材料。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該處理工具具有環(huán)形形狀以便提供將保持與曲面相接觸的幾何形狀。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該處理工具具有連續(xù)表面，其中所述處理工具的中心或中間區(qū)域是凹進(jìn)的。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該處理工具由若干獨(dú)立的環(huán)帶構(gòu)成。

9.如權(quán)利要求1、6、7或8所述的方法，其中該處理工具具有平滑邊緣以便準(zhǔn)許在針釘上過渡時(shí)進(jìn)行平滑處理。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該處理工具的大小與正準(zhǔn)備獲得平坦度的該晶片上的裸片部位的大小相匹配。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中當(dāng)該處理工具在該晶片卡盤上移動(dòng)時(shí)，該處理工具不受約束并且被允許在z軸上翻轉(zhuǎn)、傾斜和移動(dòng)。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述共形移動(dòng)包括確定性地平坦化已知的高特征結(jié)構(gòu)。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法在被設(shè)計(jì)用于所述晶片卡盤整修的機(jī)床中遠(yuǎn)程進(jìn)行。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法在半導(dǎo)體制造設(shè)備內(nèi)部原位進(jìn)行。