[發明專利]具有沖擊狀態保護的晶片容器有效
| 申請號: | 201580073722.2 | 申請日: | 2015-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN107210251B | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發明(設計)人: | 瑞安·穆舍爾;賈森·T·斯蒂芬斯 | 申請(專利權)人: | 恩特格里斯公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 齊楊 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 沖擊 狀態 保護 晶片 容器 | ||
1.一種用于接納及運輸接合式晶片的晶片容器,所述晶片容器包括:
容器部,其包含界定開口內部的開口前部,及具有內表面的后壁;
門,其閉合界定所述開口內部的所述開口前部,所述門具有內表面;
晶片支撐件,其附接到所述門的所述內表面及所述后壁的所述內表面中的一者,所述晶片支撐件具有多對晶片邊緣嚙合部,所述多對晶片邊緣嚙合部具有第一晶片邊緣嚙合部和第二晶片邊緣嚙合部,每一晶片邊緣嚙合部界定具有主安放位置的凹槽,所述晶片邊緣嚙合部的每一者由第一聚合物材料構成,其中當所述晶片容器不在沖擊狀態時,晶片的邊緣位于所述主安放位置,所述晶片支撐件進一步包含從每一主安放位置軸向偏移的沖擊偏轉區域,每一沖擊偏轉區域具有當所述晶片容器在沖擊狀態時經定位以接觸晶片的沖擊偏轉接觸部,其中所述沖擊偏轉接觸部由第二聚合物材料構成,且其中所述第二聚合物材料比所述晶片邊緣嚙合部的所述第一聚合物材料更軟。
2.根據權利要求1所述的晶片容器,其中所述沖擊偏轉接觸部定位于所述主安放位置上方。
3.根據權利要求1所述的晶片容器,其中所述晶片支撐件的每一沖擊偏轉區域經定位向內進入所述容器部的內部而并非接近所述主安放位置處的所述晶片邊緣嚙合部的部分。
4.根據權利要求1所述的晶片容器,其中所述第二聚合物為彈性體。
5.根據權利要求1所述的晶片容器,其中所述沖擊偏轉接觸區域居中地安置于形成所述多對晶片邊緣嚙合部的至少一部分的多個第一晶片邊緣嚙合部和第二晶片邊緣嚙合部之間。
6.根據權利要求1所述的晶片容器,其中所述沖擊偏轉接觸區域沿著形成所述多對晶片邊緣嚙合部的多個第一晶片邊緣嚙合部或第二晶片邊緣嚙合部的一者延伸。
7.根據權利要求1所述的晶片容器,其中所述晶片支撐件附接到所述門的所述內表面。
8.根據權利要求1所述的晶片容器,其中所述晶片支撐件附接到所述容器部的所述后壁的所述內表面。
9.根據權利要求1所述的晶片容器,其包括附接到所述門的所述內表面的第一晶片支撐件和附接到所述容器部的所述后壁的所述內表面的第二晶片支撐件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





