[發明專利]校準CVD或PVD反應器的高溫計裝置的方法有效
| 申請號: | 201580073149.5 | 申請日: | 2015-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN107110709B | 公開(公告)日: | 2019-10-18 |
| 發明(設計)人: | B.R.范韋爾;P.J.蒂曼斯 | 申請(專利權)人: | 艾克斯特朗歐洲公司 |
| 主分類號: | G01J5/60 | 分類號: | G01J5/60;G01J5/52;C23C16/52;C23C14/54 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 侯宇 |
| 地址: | 德國黑*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 校準 cvd pvd 反應器 高溫 裝置 方法 | ||
1.一種校準高溫計裝置(11、12)的方法,該高溫計裝置用于測量擱置在CVD或PVD反應器(1)的基座(6)上的基板(9)的表面溫度,其中該高溫計裝置具有第一高溫計(11),其在帶寬小于20nm的窄譜范圍內具有靈敏性,并且經出廠預校準或在預校準步驟中經預校準;至少一個第二高溫計(12、12'),其在帶寬大于100nm的第二寬帶光譜范圍內具有靈敏性,其中在第一步驟中校準第一高溫計(11),在第二步驟中將基座(6)或校準元件(17)調溫至校準溫度或依次調溫至多個不同的校準溫度(Tl、T2、T3、T4),用第一高溫計(11)分別測量所述校準溫度,并將所述校準溫度用作參考點(S1、S2、S3、S4)以測定第二高溫計(12)的特性曲線。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,第一高溫計(11)的帶寬小于10nm,并且第二高溫計的帶寬大于200nm。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于在第三寬帶光譜范圍內具有靈敏性的第三高溫計(12'),該第三高溫計在第二步驟中與第二高溫計(12)一起被校準,并且與第二高溫計(12)形成具有不同光譜范圍的商數高溫計。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,用布置在CVD或PVD反應器內部的基座(6)或校準元件(17)發射的熱輻射來校準第一高溫計(11)。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,借助具有已知的發射率溫度相關性的發光校準工具(16)進行第一高溫計(11)的校準。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,借助經調溫的參照物體或光源進行第一高溫計(11)的校準。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,兩個或三個高溫計(11、12、12')在校準時評估同一測量點(15)發射的光的強度。
8.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,第一高溫計(11)和第二高溫計(12)對準同一測量位置,并且至少在部分距離上使用同一光路。
9.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,從測量點(15)到第一高溫計(11)以及到第二高溫計(12)或第三高溫計(12')的光路(13)穿過進氣機構(2)的布置在該進氣機構(2)的正面上的排氣口(3)并且穿過該進氣機構(2)的背面上的窗口(5)。
10.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,分別在另外的溫度(Tl、T2、T3、T4)下測定三個或更多個的參考點(S1、S2、S4)。
11.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在200℃和1300℃之間的溫度范圍內,分別在另外的溫度(Tl、T2、T3、T4)下測定三個或更多個的參考點(S1、S2、S4)。
12.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,參照物體或校準元件(17)為僅用于校準的基座,由陶瓷材料、石墨或半導體材料構成的板,所述板代替基板布置在基座(6)上。
13.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,在對基座(6)或校準元件(17)進行調溫時,校準另外的高溫計裝置的第二或第三高溫計(12、12'),所述另外的高溫計裝置分別評估從彼此不同的測量位置發射的光的強度。
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