[發(fā)明專利]功率模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580071608.6 | 申請日: | 2015-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN107112318B | 公開(公告)日: | 2019-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 福本晃久;根岸哲;山本圭;筱原利彰;西川和康 | 申請(專利權(quán))人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L25/07 | 分類號: | H01L25/07;H01L23/29;H01L23/48;H01L25/18 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 孫蕾 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 功率 模塊 | ||
功率模塊(PM)具備功率半導(dǎo)體元件(4)、布線材料(2)、電路基板(6)、外部端子(8)、接合材料(5、7)以及密封樹脂(1)。以從位于功率半導(dǎo)體元件(4)與布線材料(2)之間的接合材料(5)的端面起遍及位于該端面和與該端面隔開距離的布線材料(2)的規(guī)定部位之間的布線材料(2)的表面的方式,在接合材料(5)的端面以及布線材料(2)的表面與密封樹脂(1)之間連續(xù)地形成有間隙部(3)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及功率模塊,特別涉及利用樹脂密封功率半導(dǎo)體元件的 功率模塊。
背景技術(shù)
在控制電力的功率模塊中,例如,搭載有二極管、絕緣柵雙極晶 體管(IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor)或者金屬氧化膜場 效應(yīng)晶體管(MOSFET:MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)等功率半導(dǎo)體元件。
在這些功率半導(dǎo)體元件中,將電極分別形成于對置的兩個面。將 電路基板或者布線材料等電連接到該電極,利用密封樹脂對該功率半 導(dǎo)體元件進行絕緣密封,從而制造功率模塊。
例如通過經(jīng)由焊錫等接合材料將功率半導(dǎo)體元件接合到電路基 板上而進行功率半導(dǎo)體元件與電路基板的電連接。另外,例如在大電 流用的功率模塊的情況下,通過經(jīng)由焊錫等接合材料將板狀的布線材 料接合到功率半導(dǎo)體元件的電極而進行功率半導(dǎo)體元件與布線材料 的電連接。
該板狀的布線材料和功率半導(dǎo)體元件的線膨脹系數(shù)大不相同。例 如,作為板狀的布線材料而被頻繁地使用的銅的線膨脹系數(shù)約是 17ppm/℃(17μm/℃/m)。另一方面,作為功率半導(dǎo)體元件而被頻繁 地使用的硅的線膨脹系數(shù)約是3ppm/℃(3μm/℃/m)。當(dāng)半導(dǎo)體模塊 的周圍的溫度(環(huán)境溫度)或者功率半導(dǎo)體元件自身的溫度發(fā)生變動 時,該兩者的線膨脹系數(shù)之差導(dǎo)致對將板狀的布線材料與功率半導(dǎo)體 元件連接的接合材料施加熱應(yīng)力。當(dāng)向接合材料反復(fù)施加熱應(yīng)力時, 接合材料產(chǎn)生裂紋,存在損害功率模塊的功能的問題。
為了解決這樣的問題,采用如下方法:將固化性的密封樹脂用作 功率模塊的絕緣密封,利用密封樹脂以機械的方式約束功率半導(dǎo)體元 件、接合材料以及板狀的布線材料,從而增強接合材料。利用密封樹 脂的絕緣密封通過以下方式進行:用固化前的密封樹脂填滿完成與電 路基板以及布線材料等的連接的功率半導(dǎo)體元件的周圍,并使樹脂從 該狀態(tài)開始固化。
作為其一個例子,存在如下方法:在將完成與電路基板以及布線 材料等的連接的功率半導(dǎo)體元件設(shè)置于金屬模具內(nèi),之后將固化前的 密封樹脂灌入到該金屬模具,一邊施加壓力一邊使密封樹脂固化。另 外,作為另一例子,存在如下方法:將接合有功率半導(dǎo)體元件的電路 基板接合到底板,將具有包圍功率半導(dǎo)體元件周圍的形狀的殼體粘接 到底板之上,之后將固化前的密封樹脂灌入到殼體內(nèi)部,使密封樹脂 固化。
然而,一般來說,密封樹脂的線膨脹系數(shù)比功率半導(dǎo)體元件的線 膨脹系數(shù)大,所以,在環(huán)境溫度、或功率半導(dǎo)體元件自身的溫度變動 時,在密封樹脂與功率半導(dǎo)體元件之間的界面處產(chǎn)生剪切應(yīng)力。在密 封樹脂相對功率半導(dǎo)體元件的粘合力弱時,有可能密封樹脂從功率半 導(dǎo)體元件剝離,功率半導(dǎo)體元件的電極間的絕緣性降低。
作為防止這樣的功率半導(dǎo)體元件與密封樹脂之間的剝離的方法, 例如在專利文獻1以及專利文獻2中提出如下方法:針對完成電路基 板與布線材料等的連接的功率半導(dǎo)體元件形成與密封樹脂的粘合力 強的聚酰亞胺的被膜,利用密封樹脂從聚酰亞胺被膜的上方進行密 封。
進一步地,在專利文獻2中提出使密封樹脂從位于遠離功率半導(dǎo) 體元件以及接合材料的部位的布線材料的表面的部分剝離的方法。在 該方法中,使遠離接合材料的部位的密封樹脂剝離而緩和應(yīng)力,從而 抑制密封樹脂從接合材料的表面以及功率半導(dǎo)體元件的表面剝離。
現(xiàn)有技術(shù)文獻
專利文獻1:日本特開2006-179538號公報
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





