[發明專利]多芯片雙寫入

有效

• 申請號: 201580071503.0
• 申請日: 2015-11-16
• 公開（公告）號: CN107112044B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: R.H.薩特雅納拉揚;V.桑迪普
• 申請（專利權）人: 桑迪士克科技有限責任公司
• 主分類號: G11C8/12
• 分類號: G11C8/12;G11C16/10;G11C29/00;G11C7/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 萬里晴

1.一種到多個非易失性存儲器芯片的寫入方法，包括：

使能第一非易失性存儲器芯片和禁用第二非易失性存儲器芯片，其中所述第一非易失性存儲器芯片和所述第二非易失性存儲器芯片經由存儲器總線被連接到存儲器控制器；

當所述第二非易失性存儲器芯片被禁用時，將第一地址信息發送到所述第一非易失性存儲器芯片；

禁用所述第一非易失性存儲器芯片和使能所述第二非易失性存儲器芯片；

當所述第一非易失性存儲器芯片被禁用時，將第二地址信息發送到所述第二非易失性存儲器芯片；

使能所述第一非易失性存儲器芯片和所述第二非易失性存儲器芯片；

當所述第一非易失性存儲器芯片和所述第二非易失性存儲器芯片都被使能并且將所述第一地址信息發送到所述第一非易失性存儲器芯片且將所述第二地址信息發送到所述第二非易失性存儲器芯片時，通過所述存儲器總線并行地將用戶數據發送到所述第一非易失性存儲器芯片以及發送到所述第二非易失性存儲器芯片；以及

并行地在所述第一非易失性存儲器芯片和所述第二非易失性存儲器芯片中對所述用戶數據進行編程。

2.如權利要求1所述的寫入方法，其中，

所述第二地址信息不同于所述第一地址信息。

3.如權利要求1所述的寫入方法，其中，所述第一地址信息包括所述第一非易失性存儲器芯片中的好塊的地址信息，所述第二地址信息包括所述第二非易失性存儲器芯片中的好塊的地址信息，所述第一非易失性存儲器芯片中的所述好塊和所述第二非易失性存儲器芯片中的所述好塊位于不同物理位置處。

4.如權利要求1所述的寫入方法，還包括：

同時使能第三非易失性存儲器芯片和使能第四非易失性存儲器芯片；

當所述第三非易失性存儲器芯片和所述第四非易失性存儲器芯片保持使能時，通過所述存儲器總線并行地向所述第三非易失性存儲器芯片和所述第四非易失性存儲器芯片發送第三地址信息；以及

當所述第三非易失性存儲器芯片和所述第四非易失性存儲器芯片被使能時，通過所述存儲器總線并行地向所述第三非易失性存儲器芯片和所述第四非易失性存儲器芯片發送所述用戶數據。

5.如權利要求1所述的寫入方法，還包括

基于度量來識別要被廢棄的所述第一非易失性存儲器芯片或所述第二非易失性存儲器芯片中的用戶數據的副本；以及

擦除被識別為要被廢棄的所述用戶數據的副本，而將用戶數據保持在所述第一非易失性存儲器芯片或所述第二非易失性存儲器芯片中的另一個中。

6.如權利要求1所述的寫入方法，進一步包括：

隨后確定所述第一非易失性存儲器芯片和所述第二非易失性存儲器芯片中的編程狀態。

7.如權利要求6所述的寫入方法，其中，如果所述第一非易失性存儲器芯片中的編程狀態是失敗狀態，則將所述第一非易失性存儲器芯片中的用戶數據的副本標記為壞的，并且隨后將對所述用戶數據的讀取請求指向所述第二非易失性存儲器芯片中的用戶數據的副本。

8.如權利要求1所述的寫入方法，其中，存儲在所述第一非易失性存儲器芯片中的所述用戶數據還存儲在所述第二非易失性存儲器芯片中。

9.如權利要求5所述的寫入方法，其中用于標識要被廢棄的所述用戶數據的副本的所述度量包括以下各項中的至少一項：當并行地在所述第一非易失性存儲器芯片和所述第二非易失性存儲器芯片中編程所述用戶數據時的寫入時間、寫入循環計數、程序失敗、程序循環計數、讀取失敗、讀取循環計數、比特錯誤率、和/或寫入錯誤。