[發(fā)明專利]測量數(shù)據(jù)對制造工具位置和處理批次或時(shí)間的映射有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580067881.1 | 申請日: | 2015-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN107004618B | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | G.艾爾斯;S.麥克唐納 | 申請(專利權(quán))人: | 奧羅拉太陽能技術(shù)(加拿大)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L31/028;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 宋莉 |
| 地址: | 加拿大不列*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 測量 數(shù)據(jù) 制造 工具 位置 處理 批次 時(shí)間 映射 | ||
1.用于在光伏產(chǎn)品中使用的硅電池的制造期間的品質(zhì)監(jiān)控的方法,所述方法包括:
在制造操作后測量多個(gè)硅晶片的特性,所述制造操作對應(yīng)于通過用于執(zhí)行具體制造步驟的制造工具的處理;
確定在處理期間在制造工具內(nèi)的硅晶片的空間次序、時(shí)間次序、或空間次序和時(shí)間次序兩者;和
提供基于硅晶片的經(jīng)測量的特性產(chǎn)生的信息的圖形顯示,所述信息根據(jù)空間次序、時(shí)間次序、或空間次序和時(shí)間次序兩者空間地排列在圖形顯示上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中基于硅晶片的經(jīng)測量的特性產(chǎn)生的所述信息指示所述制造工具的一個(gè)或多個(gè)操作特性中的空間變化、時(shí)間變化或者空間和時(shí)間變化兩者。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括使所述硅晶片的經(jīng)測量的特性與在所述制造工具內(nèi)的硅晶片的處理時(shí)間和在所述制造工具內(nèi)的硅晶片的處理位置之一或兩者相關(guān)聯(lián)以提供相對于所述制造工具的操作的所述經(jīng)測量的特性的空間變化、時(shí)間變化或者空間和時(shí)間變化兩者的指示。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,進(jìn)一步包括顯示所述制造操作的一個(gè)或多個(gè)方面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,進(jìn)一步包括顯示相對于在批處理操作期間同時(shí)能夠保持多個(gè)硅晶片的所述制造工具的位置的所述制造工具的性能的變化,所述性能的變化基于相對于所述制造工具的操作的所述經(jīng)測量的特性的空間變化的所述指示。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,進(jìn)一步包括基于在處理期間在制造工具內(nèi)的硅晶片的所述空間次序、時(shí)間次序、或空間次序和時(shí)間次序兩者的變化來確定所述制造工具的操作特性。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述制造工具為批次制造工具或線式制造工具。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述制造工具為批次擴(kuò)散爐、抗反射涂覆工具、或濕式化學(xué)系統(tǒng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括追蹤通過多個(gè)制造操作的晶片,所述追蹤包括為硅晶片各自提供用于處理所述硅晶片各自的制造工具的歷史的指示、以及在處理期間在制造工具內(nèi)的硅晶片各自的空間次序、時(shí)間次序、或空間次序和時(shí)間次序兩者的指示。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述晶片的特性對應(yīng)于指示硅晶片的制造品質(zhì)的品質(zhì)關(guān)鍵性(CTQ)參數(shù)。
11.用于在光伏產(chǎn)品中使用的硅電池的制造期間的品質(zhì)監(jiān)控的系統(tǒng),所述系統(tǒng)包括:
晶片測量模塊,其配置為在制造操作后測量多個(gè)硅晶片的特性,所述制造操作對應(yīng)于通過用于執(zhí)行具體制造步驟的制造工具的處理;
晶片追蹤模塊,其配置為確定在處理期間在制造工具內(nèi)的硅晶片的空間次序、時(shí)間次序、或空間次序和時(shí)間次序兩者;和
操作員界面模塊,其配置為基于硅晶片的經(jīng)測量的特性提供信息的圖形化顯示,所述信息根據(jù)空間次序、時(shí)間次序、或空間次序和時(shí)間次序兩者空間地排列在圖形顯示上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng),其中基于硅晶片的經(jīng)測量的特性的所述信息指示所述制造工具的一個(gè)或多個(gè)操作特性。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng),進(jìn)一步包括制造性能監(jiān)控模塊,其配置為使所述硅晶片的經(jīng)測量的特性與在所述制造工具內(nèi)的硅晶片的處理時(shí)間和在所述制造工具內(nèi)的硅晶片的處理位置之一或兩者相關(guān)聯(lián)以提供相對于所述制造工具的操作的所述經(jīng)測量的特性的空間變化、時(shí)間變化或者空間和時(shí)間變化兩者的指示。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng),其中所述操作員界面模塊進(jìn)一步配置為顯示所述制造操作的一個(gè)或多個(gè)方面。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 數(shù)據(jù)顯示系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中繼設(shè)備、數(shù)據(jù)中繼方法、數(shù)據(jù)系統(tǒng)、接收設(shè)備和數(shù)據(jù)讀取方法
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