[發明專利]用于二次離子質譜儀的一次銫離子源有效
| 申請號： | 201580067008.2 | 申請日： | 2015-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN107210749B | 公開（公告）日： | 2021-03-19 |
| 發明（設計）人： | P·威廉姆斯;K·A·威廉姆斯;M·博塞;J·普林斯 | 申請（專利權）人： | 亞利桑那州立大學董事會代表亞利桑那州立大學法人團體利益 |
| 主分類號： | H03L7/26 | 分類號： | H03L7/26;H01S1/00;G04F5/14;H05H3/00;H05H3/02 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 鄭勇 |
| 地址： | 美國亞*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 二次 離子 質譜儀 一次 離子源 | ||
1.一種配置為向二次離子質譜儀供應離子的一次離子源子組件，所述一次離子源子組件包括離子發生器管道和儲器基部，其中，
所述儲器基部配置為與儲器體連接，以封閉配置為容納銫鹽的儲器，其中所述儲器體限定一凹腔；
所述離子發生器管道朝蒸汽行進通過一次離子源子組件的方向布置在儲器基部下游，所述蒸汽由銫鹽生成；
所述離子發生器管道包括接近儲器基部的近端和遠離儲器基部的遠端；
所述離子發生器管道限定一內部通路；
所述離子發生器管道的遠端包括向外突出的圓錐形或者截頭圓錐形部分，并且限定一離子發生器孔徑，所述離子發生器孔徑的直徑與所述內部通路的平均直徑相比為減小的；以及
所述離子發生器管道和儲器基部是整體式的，并且由連續石墨或者含石墨的基體材料形成。
2.根據權利要求1所述的一次離子源子組件，其中，所述儲器基部和離子發生器管道的近端的第一部分共同限定環形凹槽，所述環形凹槽布置為暴露至儲器體的凹腔，并且所述離子發生器管道的遠端的第二部分從儲器基部朝遠端向外延伸。
3.根據權利要求1所述的一次離子源子組件，其中，所述儲器基部包括徑向延伸的唇口，所述徑向延伸的唇口布置為壓縮地容納在如下部分之間：(i)所述儲器體的外邊緣部，以及(ii)布置為與所述儲器體的一部分螺紋接合的密封蓋。
4.根據權利要求1所述的一次離子源子組件，其中，
所述儲器基部包括錐形石墨圓筒，所述錐形石墨圓筒具有隨著位置在最接近離子發生器管道的端部處的最大直徑值與在最遠離離子發生器管道的端部處的減小直徑值之間發生變化的外徑，所述最大直徑值大于儲器體的內徑，所述減小直徑值小于儲器體的內徑；以及
所述一次離子源子組件還包括密封蓋，所述密封蓋布置為與儲器體的一部分螺紋接合并且迫使錐形石墨圓筒進入儲器體。
6.根據權利要求5所述的一次離子源子組件，進一步包括布置在所述外部螺紋表面與內部螺紋表面之間的石墨粉或者石墨涂層。
7.根據權利要求1所述的一次離子源子組件，其中，所述圓錐形或者截頭圓錐形表面包括在6度至45度的范圍內的互補圓錐半角。
8.根據權利要求1所述的一次離子源子組件，所述一次離子源子組件進一步包括布置在圓錐形或者截頭圓錐形表面的至少一部分上的難熔金屬涂層或者難熔金屬護套。
9.根據權利要求1所述的一次離子源子組件，其中，所述離子發生器孔徑是由機械鉆孔或者激光鉆孔來限定。
10.根據權利要求1至9中任一項所述的一次離子源子組件，其中，所述離子發生器孔徑包括不大于125μm的直徑。
11.根據權利要求1至9中任一項所述的一次離子源子組件，其中，所述離子發生器孔徑包括不大于50μm的直徑。
12.一種布置為與二次離子質譜儀一起使用的一次離子源，所述一次離子源包括根據權利要求1至11中任一項所述的一次離子源子組件，以及儲器體，所述儲器體包括圓柱形凹腔；其中，所述儲器基部的一部分容納在圓柱形凹腔中。
13.根據權利要求12所述的一次離子源，其中，所述儲器體包括石墨。
14.根據權利要求12所述的一次離子源，進一步包括密封蓋，所述密封蓋布置為與儲器體的一部分螺紋接合，并且布置為使所述一次離子源子組件密封接合至所述儲器體。
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