[發(fā)明專利]復(fù)合基板的制造方法和復(fù)合基板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580066099.8
• 申請(qǐng)日: 2015-10-22
• 公開（公告）號(hào): CN107004573A
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秋山昌次
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/265;H01L27/12
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,李茂家

1.一種復(fù)合基板的制造方法，其包含：

從單晶碳化硅基板的表面注入離子，從而形成離子注入?yún)^(qū)域；

將所述單晶碳化硅基板的離子注入面和操作基板的主面貼合，和

在所述離子注入?yún)^(qū)域?qū)⑺鰡尉蓟杌鍎冸x，從而將單晶碳化硅薄膜轉(zhuǎn)印到所述操作基板，

其中所述單晶碳化硅基板的待貼合面和所述操作基板的待貼合面各自具有表面粗糙度RMS為1.00nm以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合基板的制造方法，其中所述操作基板由具有耐熱溫度為1,100℃以上的耐熱材料(單晶碳化硅除外)形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合基板的制造方法，其中所述操作基板由非晶碳化硅或多晶碳化硅形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的復(fù)合基板的制造方法，其包含在所述單晶碳化硅基板的離子注入面和/或所述操作基板的主面上形成由選自氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯、硅和碳化硅中的至少1種材料形成的薄膜；和研磨所述薄膜，從而將所述薄膜的表面的表面粗糙度RMS調(diào)整至1.00nm以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的復(fù)合基板的制造方法，其包含在所述單晶碳化硅基板的離子注入面和/或所述操作基板的主面上形成由選自Ti、Au、Ag、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Zr、Mo、Ta和W中的至少1種金屬材料形成的薄膜；和將所述薄膜的表面的表面粗糙度RMS調(diào)整至1.00nm以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的復(fù)合基板的制造方法，其包含對(duì)所述碳化硅基板的待貼合面和/或所述操作基板的待貼合面實(shí)施表面活化處理，并進(jìn)行貼合。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的復(fù)合基板的制造方法，其中所述表面活化處理為等離子體活化處理、真空離子束處理或臭氧水中的浸漬處理。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的復(fù)合基板的制造方法，其包含將所述單晶碳化硅基板和所述操作基板貼合，對(duì)所述離子注入?yún)^(qū)域施加物理沖擊，從而剝離所述單晶碳化硅基板。

9.一種根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的復(fù)合基板的制造方法得到的復(fù)合基板。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的復(fù)合基板，其中所述復(fù)合基板用于形成納米碳膜。