[發明專利]使用有金屬氧化物微粒作為變色層的等離子體處理檢測指示器有效
| 申請號: | 201580063223.5 | 申請日: | 2015-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN107078053B | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發明(設計)人: | 菱川敬太;采山和弘 | 申請(專利權)人: | 株式會社櫻花彩色筆 |
| 主分類號: | H01L21/31 | 分類號: | H01L21/31;C23C14/22;C23C14/52;C23C16/44;C23C16/50;H01L21/3065;H05H1/00 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 張晶;謝順星 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 金屬 氧化物 微粒 作為 變色 等離子體 處理 檢測 指示器 | ||
本發明提供一種等離子體處理檢測指示器,其具有通過等離子體處理而變色的變色層,且可將因等離子體處理所導致的變色層氣體化或形成微細碎屑而飛散的問題,抑制到不影響電子設備特性的程度,并且,具有良好的耐熱性。具體而言,本發明提供一種等離子體處理檢測指示器,其具有通過等離子體處理而變色的變色層,其特征在于,所述變色層含有金屬氧化物微粒,所述金屬氧化物微粒含有選自由Mo、W、Sn、V、Ce、Te及Bi組成的組中的至少一種元素,且平均粒徑為50μm以下。
技術領域
本發明特別涉及一種作為有效用作在電子設備制造裝置中所使用的指示器的、使用有金屬氧化物微粒作為變色層的等離子體處理檢測指示器。
背景技術
以往,電子設備的制造工序中,對電子設備基板(被處理基板)進行各種處理。例如,電子設備為半導體時,投入半導體晶圓(晶圓)后,經過形成絕緣膜或金屬膜的成膜工序、形成光刻膠圖案的光蝕刻工序、使用光刻膠圖案對膜進行加工的蝕刻工序、在半導體晶圓上形成導電層的雜質添加工序(另外稱為摻雜或擴散工序)、研磨具有凹凸的膜的表面使其平坦的CMP工序(化學性機械性研磨)等,進行確認圖案的完成或電特性的半導體晶圓電特性檢查(有時將至此的工序總稱為前工序)。接著,移至形成半導體芯片的后工序。這樣的前工序,不僅限于電子設備為半導體的情況,同樣也應用在制造其他電子設備(發光二極管(LED)、太陽能電池、液晶顯示器、有機EL(Electro-Luminescence)顯示器等)上。
在前工序中,除了上述的工序以外,還包括利用等離子體、臭氧、紫外線等的清洗工序;利用等離子體、含自由基的氣體等進行的光刻膠圖案的去除工序(也稱為灰化或灰化去除)等工序。此外,在上述成膜工序中,有在晶圓表面使反應性氣體發生化學反應而成膜的CVD、或形成金屬膜的濺射等,此外,上述蝕刻工序中,可列舉出:利用在等離子體中的化學反應進行的干式蝕刻、利用離子束進行的蝕刻等。在此,等離子體是指氣體呈電離狀態,離子、自由基及電子存在于其內部。
在電子設備的制造工序中,為了確保電子設備的性能、信賴性等,需要適當地進行上述的各種處理。因此,例如,在以成膜工序、蝕刻工序、灰化工序、雜質添加工序、清洗工序等為代表的等離子體處理中,為了確認等離子體處理的完成,實施:使用分光裝置的等離子體的發光分析、使用有具有在等離子體處理氛圍下變色的變色層的等離子體處理檢測指示器的結束確認等。
作為等離子體處理檢測指示器的例子,專利文獻1中公開了一種等離子體處理檢測油墨組合物,其含有:1)蒽醌類色素、偶氮類色素及酞菁類色素中的至少1種,以及2)粘合劑樹脂、陽離子型表面活性劑及增量劑中的至少1種,其特征在于:所述等離子體處理中所使用的用于產生等離子體的氣體,含有氧氣及氮氣中的至少1種;并且,還公開了一種等離子體處理檢測指示器,其在基材上形成有由該油墨組合物形成的變色層。
此外,專利文獻2中公開了一種等離子體處理檢測油墨組合物,其為含有:1)蒽醌類色素、偶氮類色素及次甲基類色素中的至少1種;以及2)粘合劑樹脂、陽離子型表面活性劑及增量劑中的至少1種的惰性氣體,其特征在于:所述惰性氣體含有選自由氦、氖、氬、氪及氙組成的組中的至少1種;并且,還公開了一種等離子體處理檢測指示器,其在基材上形成有由該油墨組合物形成的變色層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





