[發明專利]使用有金屬氧化物微粒作為變色層的等離子體處理檢測指示器

有效

• 申請號: 201580063223.5
• 申請日: 2015-11-24
• 公開（公告）號: CN107078053B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 菱川敬太;采山和弘
• 申請（專利權）人: 株式會社櫻花彩色筆
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;C23C14/22;C23C14/52;C23C16/44;C23C16/50;H01L21/3065;H05H1/00
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;謝順星

1.一種等離子體處理檢測指示器，其具有通過等離子體處理而變色的變色層，其中，所述變色層含有金屬氧化物微粒作為變色材料，所述金屬氧化物微粒含有選自由Mo、W、V、Ce、Te及Bi組成的組中的至少一種元素，且平均粒徑為50μm以下。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理檢測指示器，其中，所述金屬氧化物微粒為選自由MoO₂微粒、MoO₃微粒、WO₃微粒、VO微粒、V₂O₃微粒、VO₂微粒、V₂O₅微粒、CeO₂微粒、TeO₂微粒及Bi₂O₃微粒組成的組中的至少一種。

3.根據權利要求1或2所述的等離子體處理檢測指示器，其中，所述金屬氧化物微粒為選自由MoO₃微粒、WO₃微粒、V₂O₃微粒、V₂O₅微粒及Bi₂O₃微粒組成的組中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的等離子體處理檢測指示器，其為在電子設備制造裝置中使用的指示器。

5.根據權利要求4所述的等離子體處理檢測指示器，其中，所述指示器的形狀與在所述電子設備制造裝置中所使用的電子設備基板的形狀相同。

6.根據權利要求4或5所述的等離子體處理檢測指示器，其中，所述電子設備制造裝置，進行選自由成膜工序、蝕刻工序、灰化工序、雜質添加工序及清洗工序組成的組中的至少一種的等離子體處理。

7.根據權利要求1所述的等離子體處理檢測指示器，其具有不因等離子體處理而變色的非變色層。

8.根據權利要求7所述的等離子體處理檢測指示器，其中，所述非變色層含有選自由TiO₂、ZrO₂、Y₂O₃、硫酸鋇、氧化鎂、二氧化硅、氧化鋁、鋁、銀、釔、鋯、鈦、鉑組成的組中的至少一種。

9.根據權利要求7或8所述的等離子體處理檢測指示器，其具有支撐所述變色層的基材，所述基材上依次形成有所述非變色層及所述變色層，所述非變色層鄰接形成于所述基材的主面上，所述變色層鄰接形成于所述非變色層的主面上。