[發明專利]高速電平移位復用器有效
| 申請號: | 201580060119.0 | 申請日: | 2015-10-06 |
| 公開(公告)號: | CN107078724B | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | K·R·鮑爾斯;J·G·科羅娜;V·伯納帕里 | 申請(專利權)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K3/356 | 分類號: | H03K3/356;H03K17/00;H03K19/0185 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 袁逸;李小芳 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高速 電平 移位 復用器 | ||
1.一種電平移位復用器,包括:
第一下拉電路,第一下拉電路耦合到第一節點并且具有第一和第二分支,其中第一下拉電路被配置成響應于第一輸入被驅動到第一狀態并且第一選擇信號處于第二狀態而經由第一分支來下拉第一節點以及響應于第二輸入被驅動到第三狀態并且第二選擇信號處于第四狀態而經由第二分支來下拉第一節點;
第二下拉電路,第二下拉電路耦合到第二節點并且具有第三和第四分支,其中第二下拉電路被配置成響應于第三輸入被驅動到第五狀態并且第一選擇信號處于第二狀態而經由第三分支來下拉第二節點以及響應于第四輸入被驅動到第六狀態并且第二選擇信號處于第四狀態而經由第四分支來下拉第二節點;
上拉電路,所述上拉電路被配置成在第二節點被第二下拉電路下拉的情況下上拉第一節點,以及在第一節點被第一下拉電路下拉的情況下上拉第二節點,其中所述上拉電路包括:
第一晶體管,第一晶體管被配置成在第二節點被第二下拉電路下拉的情況下上拉第一節點,其中第一晶體管的柵極耦合到第二節點;以及
第二晶體管,第二晶體管被配置成在第一節點被第一下拉電路下拉的情況下上拉第二節點,其中第二晶體管的柵極耦合到第一節點;以及
扼流電路,所述扼流電路被配置成在第一輸入被驅動到第一狀態并且第一選擇信號處于第二狀態時減少從供電軌到第一晶體管的電流。
2.如權利要求1所述的電平移位復用器,其特征在于,所述第一、第三、第五和第六狀態中的每一者是邏輯1狀態。
3.如權利要求2所述的電平移位復用器,其特征在于,第一和第三輸入由第一對互補信號驅動,而第二和第四輸入由第二對互補信號驅動。
4.如權利要求1所述的電平移位復用器,其特征在于,所述第一和第二晶體管包括交叉耦合的p型金屬氧化物半導體(PMOS)晶體管。
5.如權利要求1所述的電平移位復用器,其特征在于,所述扼流電路被配置成在第二輸入被驅動到第三狀態并且第二選擇信號處于第四狀態時減少從供電軌到第一晶體管的電流。
6.如權利要求1所述的電平移位復用器,其特征在于,所述扼流電路被配置成在第三輸入被驅動到第五狀態并且第一選擇信號處于第二狀態時減少從供電軌到第二晶體管的電流。
7.如權利要求1所述的電平移位復用器,其特征在于,進一步包括耦合在第二節點與接地之間的鉗位晶體管,其中所述鉗位晶體管被配置成在禁用信號處于邏輯1狀態的情況下導通。
8.如權利要求1所述的電平移位復用器,其特征在于:
第一分支包括串聯耦合在第一節點與接地之間的第一和第二晶體管,其中第一晶體管包括被配置成接收第一選擇信號的控制端子,并且其中第一輸入包括第二晶體管的控制端子,
第二分支包括串聯耦合在第一節點與接地之間的第三和第四晶體管,其中第三晶體管包括被配置成接收第二選擇信號的控制端子,并且其中第二輸入包括第四晶體管的控制端子,
第三分支包括串聯耦合在第二節點與接地之間的第五和第六晶體管,其中第五晶體管包括被配置成接收第一選擇信號的控制端子,并且其中第三輸入包括第六晶體管的控制端子,并且
第四分支包括串聯耦合在第二節點與接地之間的第七和第八晶體管,其中第七晶體管包括被配置成接收第二選擇信號的控制端子,并且其中第四輸入包括第八晶體管的控制端子。
9.如權利要求1所述的電平移位復用器,其特征在于,第一和第二選擇信號是互補信號。
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