[發明專利]具有反射光電陰極陣列的光電倍增管(PMT)

在審

• 申請號: 201580059985.8
• 申請日: 2015-11-13
• 公開（公告）號: CN107078016A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: D·麥凱
• 申請（專利權）人: 科磊股份有限公司
• 主分類號: H01J43/08
• 分類號: H01J43/08
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 張世俊

1.一種光電倍增管PMT的內部部分，其包括：

反射光電陰極陣列，所述反射光電陰極中的每一者用于接收光且從所述所接收光產生光電子；及

至少一個二次發射極結構，其對應于所述反射光電陰極陣列以使由所述對應反射光電陰極陣列產生的所述光電子倍增。

2.根據權利要求1所述的PMT的內部部分，其中所述反射光電陰極陣列及所述對應至少一個二次發射極結構包含于外殼內。

3.根據權利要求2所述的PMT的內部部分，其中所述外殼是管。

4.根據權利要求2所述的PMT的內部部分，其中所述反射光電陰極中的每一者是從所述外殼的端側以對角線角度定位。

5.根據權利要求4所述的PMT的內部部分，其中所述外殼的所述端側至少部分地是所述光可穿過的窗。

6.根據權利要求1所述的PMT的內部部分，其中所述至少一個二次發射極結構中的每一者包含多個二次發射極。

7.根據權利要求6所述的PMT的內部部分，其中所述二次發射極被定位成鏈以使所述光電子在其間通過。

8.根據權利要求6所述的PMT的內部部分，其中所述二次發射極中的每一者使其所接收的光電子倍增。

9.根據權利要求1所述的PMT的內部部分，其中所述至少一個二次發射極結構包含對應于所述陣列中的多個所述反射光電陰極的單個二次發射極結構。

10.根據權利要求9所述的PMT的內部部分，其中所述單個二次發射極結構對應于所述陣列中的所有所述反射光電陰極。

11.根據權利要求1所述的PMT的內部部分，其中所述至少一個二次發射極結構包含對應于所述陣列中的所述反射光電陰極中的每一者的單獨二次發射極結構。

12.根據權利要求1所述的PMT的內部部分，其中所述光是以下各項中的一者：

以一角度入射到所述反射光電陰極陣列，及

垂直地入射到所述反射光電陰極陣列。

13.根據權利要求12所述的PMT的內部部分，其中：

當所述光是以所述角度入射到所述反射光電陰極陣列時，所述反射光電陰極中的每一者則是以第一角度安放，且

當所述光是垂直地入射到所述反射光電陰極陣列時，所述反射光電陰極中的每一者則是以不同于所述第一角度的第二角度安放。

14.一種用于制造光電倍增管PMT的內部部分的方法，其包括：

在外殼內設置反射光電陰極陣列，所述反射光電陰極中的每一者處于能夠接收光的位置；及

在所述外殼內設置對應于所述反射光電陰極陣列的至少一個二次發射極結構，所述至少一個二次發射極結構處于能夠在所述對應反射光電陰極陣列從所述所接收光產生光電子時接收所述光電子的位置。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述外殼是管。

16.根據權利要求14所述的方法，其中使所述反射光電陰極中的每一者從所述外殼的端側以對角線角度定位。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述外殼的所述端側至少部分地是所述光可穿過的窗。

18.根據權利要求14所述的方法，其中所述二次發射極結構中的每一者包含多個二次發射極。

19.根據權利要求18所述的方法，其中將所述二次發射極定位成鏈以使所述光電子在其間通過。

20.根據權利要求18所述的方法，其中所述二次發射極中的每一者使其所接收的光電子倍增。

21.根據權利要求14所述的方法，其中所述光是以下各項中的一者：

以一角度入射到所述反射光電陰極陣列，及

垂直地入射到所述反射光電陰極陣列。

22.根據權利要求21所述的方法，其中：

當所述光是以所述角度入射到所述反射光電陰極陣列時，所述反射光電陰極中的每一者則是以第一角度安放，且

當所述光是垂直地入射到所述反射光電陰極陣列時，所述反射光電陰極中的每一者則是以不同于所述第一角度的第二角度安放。