[發(fā)明專利]增加相變存儲(chǔ)器元件的電熱隔離的電極配置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580059015.8 | 申請(qǐng)日: | 2015-10-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107112345B | 公開(公告)日: | 2021-09-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | F·佩利澤爾;G·阿爾比尼;S·W·拉塞爾;M·F·海因曼;S·蘭格恩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英特爾公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/24 | 分類號(hào): | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 李光穎;王英 |
| 地址: | 美國(guó)加*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 增加 相變 存儲(chǔ)器 元件 電熱 隔離 電極 配置 | ||
本公開的實(shí)施例描述了增加相變存儲(chǔ)器元件的電熱隔離的電極配置及相關(guān)聯(lián)的技術(shù)。在實(shí)施例中,一種裝置包括多個(gè)相變存儲(chǔ)器(PCM)元件,其中,多個(gè)PCM元件中的個(gè)體PCM元件包括:相變材料層;第一電極層,其被設(shè)置在所述相變材料層上并且與所述相變材料層直接接觸;以及第二電極層,其被設(shè)置在所述第一電極層上并且與所述第一電極層直接接觸。可以描述和/或請(qǐng)求保護(hù)保護(hù)其它實(shí)施例。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求享有于2014年11月24日提交的,題為“ELECTRODE CONFIGURATIONS TOINCREASE ELECTRO-THERMAL ISOLATION OF PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENTS ANDASSOCIATED TECHNIQUES”的美國(guó)申請(qǐng)No.14/552205的優(yōu)先權(quán),其全部?jī)?nèi)容為所有目的通過引用并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開的實(shí)施例總體涉及集成電路領(lǐng)域,并且更具體地涉及增加相變存儲(chǔ)器元件的電熱隔離的電極配置及相關(guān)聯(lián)的技術(shù)。
背景技術(shù)
相變存儲(chǔ)器(PCM)技術(shù)(例如,多堆棧交叉點(diǎn)PCM)是其它非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)的有前途的備選。存在增加相變存儲(chǔ)器元件的電熱隔離的連續(xù)驅(qū)動(dòng),以便優(yōu)化PCM操作,例如包括,閾值電壓(VT)對(duì)電流(I)特性VT-I的編程電流和形狀。
附圖說明
通過后續(xù)結(jié)合附圖的詳細(xì)描述可以容易地理解實(shí)施例。為了便于該說明,相似的附圖標(biāo)記指定相似的結(jié)構(gòu)元件。實(shí)施例在附圖中通過范例示出而非限制于附圖的圖中。
圖1示意性圖示了根據(jù)一些實(shí)施例的晶片形式和單一化形式的范例管芯的頂視圖。
圖2示意性圖示了根據(jù)一些實(shí)施例的集成電路(IC)組件的橫截面?zhèn)纫晥D。
圖3A-B、4A-B、5A-B、6A-B、7A-B、8A-B、9A-B和10A-B示意性圖示了根據(jù)一些實(shí)施例的在制造的各種階段期間的相變存儲(chǔ)器(PCM)設(shè)備的橫截面?zhèn)纫晥D。
圖3C、4C、5C、6C、7C、8C和9C示意性圖示了根據(jù)一些實(shí)施例的在制造的各種階段期間的相變存儲(chǔ)器(PCM)設(shè)備的頂視圖。
圖11是根據(jù)一些實(shí)施例的制造PCM設(shè)備的方法的流程圖。
圖12示意性示出了根據(jù)本文描述的各種實(shí)施例的包括PCM設(shè)備的范例系統(tǒng)。
具體實(shí)施方式
本公開的實(shí)施例描述了增加相變存儲(chǔ)器元件的電熱隔離的電極配置及相關(guān)聯(lián)的技術(shù)。在后續(xù)詳細(xì)描述中,參考形成其一部分的附圖,其中,類似的附圖標(biāo)記始終指代類似的部件,并且其中通過圖示示出了可以實(shí)踐本公開的主題的實(shí)施例。應(yīng)理解,可以利用其它實(shí)施例并且可以做出結(jié)構(gòu)或邏輯改變,而不背離本公開的范圍。因此,后續(xù)詳細(xì)描述不被認(rèn)為是限制意義的,實(shí)施例的范圍由隨附權(quán)利要求及其等價(jià)物定義。
為了本公開的目的,短語“A和/或B”表示(A)、(B)或(A和B)。為了本公開的目的,短語“A、B和/或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。
說明書可以使用短語“在實(shí)施例中”或“在多個(gè)實(shí)施例中”,其均可以指代相同或不同的實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)。此外,關(guān)于本公開的實(shí)施例使用的術(shù)語“包括”、“包含”、“具有”等是同義的。術(shù)語“耦合”可以指的是直接連接、間接連接或者間接通信。
如本文使用的,術(shù)語“模塊”可以指代以下項(xiàng)、是以下項(xiàng)的一部分或包括以下項(xiàng):專用集成電路(ASIC)、電子電路、執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)軟件或固件程序的(共享、專用或分組)處理器和/或(共享、專用或分組)存儲(chǔ)器、組合邏輯電路、狀態(tài)機(jī)和/或提供所描述的功能的其它適當(dāng)?shù)牟考?/p>
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于英特爾公司,未經(jīng)英特爾公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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