[發明專利]半導體基板用蝕刻液

在審

• 申請號: 201580057501.6
• 申請日: 2015-10-20
• 公開（公告）號: CN107078051A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: 赤木成明;鐮田義輝;大八木伸;齋田利典;森脅和弘;山本裕三
• 申請（專利權）人: 攝津制油株式會社
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;H01L31/0236
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 李志強,黃念

1.蝕刻液，其是用于處理太陽能電池用半導體基板表面的堿性蝕刻液，

含有堿性劑以及下述通式(1)所表示的至少一種羥基苯乙烯類聚合物，

[化1]

式中，m以及n分別為m≥0、n≥3，通式(1)所表示的聚合物的重量平均分子量為滿足1000~5萬的范圍的任意的數；k、p、u分別為0≤k≤2、0≤p≤2以及0＜u≤2，其中，k、p、u表示聚合物中的平均值；R¹~R³為H或碳原子數1~5的烷基；X為聚合性乙烯基類單體的構成單元；Y、Z相同或不同，且為選自

[化2]

或者碳原子數1~18的烷基或碳原子數6~18的芳基的取代基，式中，M為H、堿金屬、堿土金屬或有機陽離子；Y¹、Y⁴為鹵素；Y^2-、Y^3-為反離子；W為S或O；R⁴~R⁸相同或不同，且為直鏈或支鏈烷基、烷基衍生物基、芳香基或H，而且R⁶和R⁷任選經由N基形成環；R⁹~R¹⁵相同或不同，且為直鏈或支鏈烷基、烷基衍生物基、芳香基或H；q、s、t分別為0或1；r為0、1或2。

2.權利要求1中記載的蝕刻液，其進一步含有選自木素磺酸以及木素磺酸鹽的至少一種成分。

3.權利要求1或2中記載的蝕刻液，其進一步含有選自螯合劑、硅酸以及硅酸鹽的至少一種成分。

4.權利要求1~3中任一項記載的蝕刻液，其中，使用該蝕刻液蝕刻后的太陽能電池用半導體基板的表面形狀具有金字塔狀凹凸。

5. 蝕刻液的蝕刻力回復劑，其為以權利要求1~4中任一項記載的蝕刻液處理太陽能電池用半導體基板后添加至上述蝕刻液中，回復該蝕刻液的蝕刻力的蝕刻力回復劑，含有堿性劑，且含有下述通式(1)所表示的至少一種羥基苯乙烯類聚合物：

[化3]

式中，m以及n分別為m≥0、n≥3，通式(1)所表示的聚合物的重量平均分子量為滿足1000~5萬的范圍的任意的數；k、p、u分別為0≤k≤2、0≤p≤2以及0＜u≤2，其中，k、p、u表示聚合物中的平均值；R¹~R³為H或碳原子數1~5的烷基；X為聚合性乙烯基類單體的構成單元；Y、Z相同或不同，且為選自

[化4]

或者碳原子數1~18的烷基或碳原子數6~18的芳基的取代基，式中，M為H、堿金屬、堿土金屬或有機陽離子；Y¹、Y⁴為鹵素；Y^2-、Y^3-為反離子；W為S或O；R⁴~R⁸相同或不同，且為直鏈或支鏈烷基、烷基衍生物基、芳香基或H，而且R⁶和R⁷任選經由N基形成環；R⁹~R¹⁵相同或不同，且為直鏈或支鏈烷基、烷基衍生物基、芳香基或H；q、s、t分別為0或1；r為0、1或2。

6.太陽能電池用半導體基板的制造方法，其含有以權利要求1~4中任一項記載的蝕刻液蝕刻太陽能電池用半導體基板的基板表面，在上述基板表面形成凹凸的蝕刻工序。

7.權利要求6中記載的制造方法，其中，在上述基板表面形成的凹凸的凸部為金字塔形狀。

8.權利要求7中記載的制造方法，其中，上述金字塔形狀的平均尺寸為0.5~30μm。

9.權利要求6~8中任一項記載的制造方法，其中，蝕刻后的太陽能電池用半導體基板的波長600nm下的光反射率為10%以下。

10.太陽能電池用半導體基板，其是以權利要求1~4中任一項記載的蝕刻液對其表面進行蝕刻處理而形成。

11.權利要求10中記載的太陽能電池用半導體基板，其中，在基板表面形成有凹凸。