[發(fā)明專利]分子篩SSZ-101

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580055466.4
• 申請日: 2015-03-12
• 公開（公告）號: CN106794999B
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: T·M·達(dá)維斯;J·史密德特;D·謝
• 申請（專利權(quán)）人: 雪佛龍美國公司
• 主分類號: C01B39/46
• 分類號: C01B39/46;C01B39/48
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 孫愛

1.一種分子篩，其具有(1)硅氧化物與(2)鋁氧化物的至少為5的摩爾比和其合成原樣形式具有如下表所示的X射線衍射圖：

2-θ	d-間距,nm	相對強(qiáng)度	峰擴(kuò)展	P/N
6.54±0.20	1.350	W	Sh	L
7.50±0.20	1.177	S	VB	H
9.77±0.20	0.904	W	Sh	L
11.56±0.20	0.765	W	Sh	L
12.47±0.20	0.709	W	Sh	H
12.95±0.20	0.683	W	Sh	H
15.00±0.20	0.590	W	B	L
15.90±0.20	0.557	W	Sh	L
17.36±0.20	0.510	W	B	L
17.76±0.20	0.499	M	Sh	H
19.89±0.20	0.446	M	B	H
21.68±0.20	0.410	VS	VB	H
22.50±0.20	0.395	W	Sh	L
23.24±0.20	0.382	W	Sh	L
26.06±0.20	0.342	M	Sh	H
28.18±0.20	0.316	VS	VB	H.

其中所提供的粉末XRD圖案基于相對強(qiáng)度標(biāo)度，其中X射線圖案中的最強(qiáng)線被指定為值100：W＝弱，即>0至≤20；M＝中，即>20至≤40；S＝強(qiáng)，即>40至≤60；VS＝非常強(qiáng)，即>60至≤100；峰擴(kuò)展的特征在于XRD峰的半高寬(FWHM)，其中峰值被分類為：Sh＝銳度，即≤2*最小FWHM；B＝寬，即>2*最小FWHM至≤4*最小FWHM；VB＝非常寬，即>4*最小FWHM；和P/N是峰值對噪聲比，其計算為P/N＝(峰值高度-背景)/√峰值高度，其中L＝低，即≤10；H＝高，即>10。