[發明專利]圖案形成方法、抗蝕劑圖案及電子元件的制造方法

有效

• 申請號: 201580052713.5
• 申請日: 2015-09-25
• 公開（公告）號: CN106716257B
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發明（設計）人: 井上尚紀;丹呉直纮;白川三千纮;山本慶;后藤研由
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: G03F7/38
• 分類號: G03F7/38;G03F7/11;G03F7/32;H01L21/027;G03F7/038;G03F7/039
• 代理公司: 11205 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 彭雪瑞;臧建明

1.一種圖案形成方法，其包括：

步驟a，將感光化射線性或感放射線性樹脂組合物涂布于基板上而形成抗蝕劑膜；

步驟b，通過在所述抗蝕劑膜上涂布上層膜形成用組合物后，在100℃以上進行加熱而在所述抗蝕劑膜上形成上層膜；

步驟c，對形成有所述上層膜的所述抗蝕劑膜進行曝光；以及

步驟d，使用包含有機溶劑的顯影液，對經所述曝光的所述抗蝕劑膜進行顯影而形成圖案，

所述上層膜形成用組合物包含含有氟原子的樹脂、或者具有通式(II)所表示的重復單元以及通式(III)所表示的重復單元中的至少一種重復單元(x)，所述重復單元(x)的含量相對于全部重復單元為90摩爾％以上且不具有氟原子及硅原子的樹脂，所述含有氟原子的樹脂具有通式(C-Ia)所表示的重復單元，

通式(II)中，X_b1表示氫原子、烷基、氰基或鹵素原子，R₂表示具有一個以上CH₃部分結構的對酸穩定的有機基；

通式(III)中，X_b2表示氫原子、烷基、氰基或鹵素原子，R₃表示具有一個以上CH₃部分結構的對酸穩定的有機基，n表示1至5的整數；

通式(C-Ia)中，R₁₀表示氫原子、氟原子、碳數1個～4個的直鏈或分支的烷基、或者碳數1個～4個的直鏈或分支的氟化烷基，W₃表示具有氟原子的有機基。

2.根據權利要求1所述的圖案形成方法，其中所述步驟b為在120℃以上進行加熱的步驟。

3.根據權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中所述上層膜形成用組合物含有堿性化合物以及堿產生劑的至少任一個。

4.根據權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中所述步驟d為使用包含乙酸丁酯的顯影液進行顯影的步驟。

5.根據權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中所述步驟d為使用包含2-庚酮的顯影液進行顯影的步驟。

6.根據權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中所述步驟d為使用包含丙酸丁酯的顯影液進行顯影的步驟。

7.根據權利要求3所述的圖案形成方法，其中所述步驟d為使用包含乙酸丁酯的顯影液進行顯影的步驟。

8.根據權利要求3所述的圖案形成方法，其中所述步驟d為使用包含2-庚酮的顯影液進行顯影的步驟。

9.根據權利要求3所述的圖案形成方法，其中所述步驟d為使用包含丙酸丁酯的顯影液進行顯影的步驟。

10.一種抗蝕劑圖案，其是利用根據權利要求1至9中任一項所述的圖案形成方法而形成。

11.一種電子元件的制造方法，其包含根據權利要求1至9中任一項所述的圖案形成方法。