[發(fā)明專利]用于減小電子設(shè)備中的應(yīng)力的器件和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580050056.0 | 申請日： | 2015-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN106716626B | 公開（公告）日： | 2019-08-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | D·D·金;J-H·J·蘭;C·H·尹;M·F·維綸茨;C·左;J·金;D·F·伯蒂 | 申請（專利權(quán)）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 陳煒;袁逸 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 減小 電子設(shè)備 中的 應(yīng)力 器件 方法 | ||
1.一種用于減小應(yīng)力的器件，包括：
基板；
在所述基板的第一應(yīng)力域上的第一電路系統(tǒng)；
在所述基板的第二應(yīng)力域上的第二電路系統(tǒng)；以及
在所述第一應(yīng)力域與所述第二應(yīng)力域之間的應(yīng)力緩減區(qū)，所述應(yīng)力緩減區(qū)包括與所述基板的至少一部分直接接觸的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)被配置成將所述第一電路系統(tǒng)電耦合到所述第二電路系統(tǒng)。
2.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述應(yīng)力緩減區(qū)包括比所述第一應(yīng)力域和所述第二應(yīng)力域中的每一者更少的層，以減小在所述第一應(yīng)力域與所述第二應(yīng)力域之間的域間應(yīng)力。
3.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括：
位于所述第一應(yīng)力域中的電介質(zhì)層的第一部分；以及
位于所述第二應(yīng)力域中的所述電介質(zhì)層的第二部分，
其中，所述電介質(zhì)層不在所述應(yīng)力緩減區(qū)中。
4.如權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，所述電介質(zhì)層是與所述器件的一個(gè)或多個(gè)有源層接觸的層間電介質(zhì)層。
5.如權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，所述電介質(zhì)層包括聚酰亞胺。
6.如權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，所述電介質(zhì)層小于或等于15微米厚。
7.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述基板包括硅或玻璃。
8.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述基板小于或等于700微米厚。
9.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述基板小于或等于500微米厚。
10.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一電路系統(tǒng)包括金屬化層的第一部分，并且其中，所述第二電路系統(tǒng)包括所述金屬化層的第二部分。
11.如權(quán)利要求10所述的器件，其特征在于，所述金屬化層小于或等于50微米厚。
12.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括：
位于所述第一應(yīng)力域中的多個(gè)電介質(zhì)層的第一部分；以及
位于所述第二應(yīng)力域中的所述多個(gè)電介質(zhì)層的第二部分，
其中，所述多個(gè)電介質(zhì)層中的至少一個(gè)電介質(zhì)層不在所述應(yīng)力緩減區(qū)中。
13.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括應(yīng)力緩解結(jié)構(gòu)，所述應(yīng)力緩解結(jié)構(gòu)包括在所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第一部分與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第二部分之間的彎曲部。
14.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述第一應(yīng)力域、所述第二應(yīng)力域、以及所述應(yīng)力緩減區(qū)之上的鈍化層。
15.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括鋁、銅、或者其組合。
16.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一電路系統(tǒng)和所述第二電路系統(tǒng)被包括在集成無源器件中。
17.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一電路系統(tǒng)和所述第二電路系統(tǒng)被包括在晶片級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)的至少一部分中。
18.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括：
與所述基板的第三應(yīng)力域相關(guān)聯(lián)的第三電路系統(tǒng)；以及
與所述基板的第四應(yīng)力域相關(guān)聯(lián)的第四電路系統(tǒng)，
其中，所述應(yīng)力緩減區(qū)在所述第一應(yīng)力域與所述第三應(yīng)力域之間、所述第一應(yīng)力域與所述第四應(yīng)力域之間、所述第二應(yīng)力域與所述第三應(yīng)力域之間、所述第二應(yīng)力域與所述第四應(yīng)力域之間、以及所述第三應(yīng)力域與所述第四應(yīng)力域之間。
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