[發(fā)明專利]注入調(diào)制器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580049944.0
• 申請(qǐng)日: 2015-09-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106716239B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 斯特凡·梅斯特;奧斯·阿爾-薩阿迪;塞巴斯蒂安·庫(kù)皮賈伊;克里斯多佛·泰斯;李翰堯;拉爾斯·齊默爾曼;大衛(wèi)·斯托拉雷克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 柏林工業(yè)大學(xué);斯科雅有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/225
• 分類號(hào): G02F1/225;G02F1/025;H04B10/54;H01S5/026;H04B10/548
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11262
• 代理人: 湯慧華,鄭霞

1.一種用于調(diào)制光輻射(P)的注入調(diào)制器(10)，所述注入調(diào)制器包括：

-光波導(dǎo)(20)，以及

-二極管結(jié)構(gòu)(30)，所述二極管結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)p摻雜半導(dǎo)體部分(110)、至少兩個(gè)n摻雜半導(dǎo)體部分(210)以及在所述p摻雜半導(dǎo)體部分與所述n摻雜半導(dǎo)體部分(110，210)之間的至少一個(gè)弱摻雜或未摻雜的中間部分(300)，其中，

-所述p摻雜半導(dǎo)體部分(110)在所述波導(dǎo)(20)的縱向方向(L)上相對(duì)于所述n摻雜半導(dǎo)體部分(210)而偏移安排，并且

-所述二極管結(jié)構(gòu)(30)被安排在所述波導(dǎo)(20)的無(wú)諧振部分中，其中——不考慮波導(dǎo)衰減——在所述波導(dǎo)(20)中引導(dǎo)的所述輻射(P)的輻射強(qiáng)度是恒定的，

其特征在于，

-所述p摻雜半導(dǎo)體部分(110)在所述波導(dǎo)(20)的縱向方向(L)上并且相對(duì)于波導(dǎo)中心位于所述波導(dǎo)(20)的一側(cè)上，所述n摻雜半導(dǎo)體部分(210)位于所述波導(dǎo)(20)的另一側(cè)上，并且所述中間部分(300)位于所述波導(dǎo)中心的區(qū)域中，

-所述p摻雜半導(dǎo)體部分與所述n摻雜半導(dǎo)體部分(110，210)在每種情況下都在所述波導(dǎo)(20)的所述波導(dǎo)中心的方向上相對(duì)于波導(dǎo)縱向方向(L)橫向地延伸，并且

-所述p摻雜半導(dǎo)體部分(110)在所述波導(dǎo)(20)的縱向方向(L)上、在每種情況下都不與所述n摻雜半導(dǎo)體部分(210)重疊。

2.如權(quán)利要求1所述的注入調(diào)制器(10)，

其特征在于，

-所述波導(dǎo)(20)是脊波導(dǎo)，所述脊波導(dǎo)包括波導(dǎo)抬高的脊部分(23)以及在脊縱向方向上平行于所述脊部分(23)走向的兩個(gè)相鄰的腹板部分(24，25)，

-所述p摻雜半導(dǎo)體部分(110)位于所述兩個(gè)腹板部分(24，25)中的一個(gè)腹板部分中，

-所述n摻雜半導(dǎo)體部分(210)位于所述兩個(gè)腹板部分(24，25)中的另一個(gè)腹板部分中，并且

-至少所述脊部分的中心不含所述p摻雜半導(dǎo)體部分和所述n摻雜半導(dǎo)體部分(110，210)。

3.如權(quán)利要求2所述的注入調(diào)制器(10)，

其特征在于，

整個(gè)脊部分(23)不含所述p摻雜半導(dǎo)體部分和所述n摻雜半導(dǎo)體部分(110，210)。

4.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的注入調(diào)制器(10)，

其特征在于，

-所述p摻雜半導(dǎo)體部分(110)形成p摻雜梳狀結(jié)構(gòu)(100)的齒部分，所述p摻雜梳狀結(jié)構(gòu)的齒在波導(dǎo)縱向方向(L)上被安排成彼此間隔，并且在每種情況下都從位于所述波導(dǎo)(20)之外的公共接觸連接開(kāi)始在所述波導(dǎo)(20)的所述波導(dǎo)中心的方向上相對(duì)于波導(dǎo)縱向方向(L)從所述波導(dǎo)(20)之外橫向地延伸，并且

-所述n摻雜半導(dǎo)體部分(210)形成n摻雜梳狀結(jié)構(gòu)(200)的齒部分，所述n摻雜梳狀結(jié)構(gòu)的齒在波導(dǎo)縱向方向(L)上被安排成彼此間隔，并且從位于所述波導(dǎo)(20)之外的公共接觸連接開(kāi)始在每種情況下都在所述波導(dǎo)(20)的所述波導(dǎo)中心的方向上相對(duì)于波導(dǎo)縱向方向(L)從所述波導(dǎo)(20)之外橫向地延伸。

5.如權(quán)利要求2所述的注入調(diào)制器(10)，

其特征在于，

-所述脊波導(dǎo)包括波導(dǎo)層(21)以及位于下面的下包層(22)，并且-對(duì)所述n摻雜半導(dǎo)體部分(210)的摻雜和對(duì)所述p摻雜半導(dǎo)體部分(110)的摻雜在每種情況下都從所述脊波導(dǎo)的所述波導(dǎo)層(21)的表面(21a)延伸至所述下包層(22)。

6.如權(quán)利要求3所述的注入調(diào)制器(10)，

其特征在于，

-所述脊波導(dǎo)包括波導(dǎo)層(21)以及位于下面的下包層(22)，并且-對(duì)所述n摻雜半導(dǎo)體部分(210)的摻雜和對(duì)所述p摻雜半導(dǎo)體部分(110)的摻雜在每種情況下都從所述脊波導(dǎo)的所述波導(dǎo)層(21)的表面(21a)延伸至所述下包層(22)。

7.如權(quán)利要求1-3和5-6中任一項(xiàng)所述的注入調(diào)制器(10)，

其特征在于，

-所述p摻雜半導(dǎo)體部分(110)的寬度(b)在每種情況下都小于相鄰的p摻雜半導(dǎo)體部分(110)之間的距離(A)，并且

-所述n摻雜半導(dǎo)體部分(210)的寬度(b)在每種情況下都小于相鄰的n摻雜半導(dǎo)體部分(210)之間的距離(A)。