[發明專利]R－T－B系燒結磁體的制造方法有效
| 申請號： | 201580048790.3 | 申請日： | 2015-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN106688065B | 公開（公告）日： | 2019-05-31 |
| 發明（設計）人： | 三野修嗣 | 申請（專利權）人： | 日立金屬株式會社 |
| 主分類號： | H01F41/02 | 分類號： | H01F41/02;B22F3/00;B22F3/24;C22C28/00;C22C33/02;H01F1/057;H01F1/08;C22C38/00 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 燒結 磁體 制造 方法 | ||
【說明書】：
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