[發明專利]碳化硅單晶襯底及用于制造所述碳化硅單晶襯底的方法

有效

• 申請號: 201580047727.8
• 申請日: 2015-06-24
• 公開（公告）號: CN106605289B
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發明（設計）人: 沖田恭子;本家翼
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B24B1/00;B24B9/00;C30B29/36;H01L21/304
• 代理公司: 11219 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 韓峰;孫志湧

1.一種用于制造碳化硅單晶襯底的方法，包括：

制備碳化硅單晶襯底，所述碳化硅單晶襯底具有第一主表面、與所述第一主表面相反的第二主表面、以及連接所述第一主表面和所述第二主表面的圓周邊緣部，當沿著垂直于所述第一主表面的方向觀察時，所述圓周邊緣部具有直線形的定向平面部、具有第一半徑的第一圓弧部、以及在所述定向平面部和所述第一圓弧部之間的接觸點；以及

在旋轉所述碳化硅單晶襯底的同時研磨所述第一圓弧部、所述接觸點和所述定向平面部，通過研磨所述第一圓弧部、所述接觸點和所述定向平面部來形成第二圓弧部，所述第二圓弧部連接所述定向平面部和所述第一圓弧部并具有小于所述第一半徑的第二半徑，

其中，研磨所述第一圓弧部、所述接觸點和所述定向平面部包括：

在用第一力將所述第一圓弧部按壓在磨石上的同時，來研磨所述第一圓弧部，

在用第二力將所述接觸點按壓在所述磨石上的同時，來研磨所述接觸點，以及

在用第三力將所述定向平面部按壓在所述磨石上的同時，來研磨所述定向平面部，

所述第二力大于所述第一力，并且所述第三力大于所述第二力。

2.根據權利要求1所述的用于制造碳化硅單晶襯底的方法，其中，

所述磨石的結合劑是樹脂。

3.根據權利要求1或2所述的用于制造所述碳化硅單晶襯底的方法，其中，

與所述圓周邊緣部鄰接的所述磨石的研磨表面具有等于或大于25體積％且小于或等于32.5體積％的磨粒密度。

4.根據權利要求1或2所述的用于制造碳化硅單晶襯底的方法，其中，

在研磨所述第一圓弧部、所述接觸點和所述定向平面部中，在旋轉所述碳化硅單晶襯底的同時，來研磨所述第一圓弧部、所述接觸點和所述定向平面部，并且

在研磨所述接觸點中的所述碳化硅單晶襯底的旋轉速度低于在研磨所述第一圓弧部以及研磨所述定向平面部的每個中的所述碳化硅單晶襯底的旋轉速度。

5.一種用于制造碳化硅單晶襯底的方法，包括：

制備碳化硅單晶襯底，所述碳化硅單晶襯底具有第一主表面、與所述第一主表面相反的第二主表面、以及連接所述第一主表面和所述第二主表面的圓周邊緣部，當沿著垂直于所述第一主表面的方向觀察時，所述圓周邊緣部具有直線形的定向平面部、具有第一半徑的第一圓弧部、以及在所述定向平面部和所述第一圓弧部之間的接觸點；以及

在旋轉所述碳化硅單晶襯底的同時研磨所述第一圓弧部、所述接觸點和所述定向平面部，通過研磨所述第一圓弧部、所述接觸點和所述定向平面部來形成第二圓弧部，所述第二圓弧部連接所述定向平面部和所述第一圓弧部并具有小于所述第一半徑的第二半徑，

其中，

在研磨所述第一圓弧部、所述接觸點和所述定向平面部中，在旋轉所述碳化硅單晶襯底的同時，來研磨所述第一圓弧部、所述接觸點和所述定向平面部，并且

在研磨所述接觸點中的所述碳化硅單晶襯底的旋轉速度低于在研磨所述第一圓弧部以及研磨所述定向平面部的每個中的所述碳化硅單晶襯底的旋轉速度。