[發(fā)明專利]晶種卡盤和包括其的晶錠生長(zhǎng)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580047651.9
• 申請(qǐng)日: 2015-07-28
• 公開（公告）號(hào): CN106661757A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜鐘珉;盧臺(tái)植
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG矽得榮株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C30B15/32
• 分類號(hào): C30B15/32;C30B29/06;C30B15/20
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11270
• 代理人: 呂艷英,張穎玲

1.一種晶種卡盤，所述晶種卡盤構(gòu)造成容納用于從熔融硅生長(zhǎng)晶錠的晶種，所述晶種卡盤包括：

頸蓋，所述頸蓋構(gòu)造成阻止熱量沿所述熔融硅的向上方向排出；以及

固定部，所述固定部配置在所述頸蓋的底表面上并且構(gòu)造成容納所述晶種，

其中：

所述頸蓋包含連接到提升索的頂表面、底表面和構(gòu)造成將所述頂表面連接到所述底表面的圓周表面；

所述圓周表面形成為相對(duì)于所述底表面具有傾斜角；并且

所述頸蓋具有測(cè)量部，所述測(cè)量部是開口的，以用于測(cè)量熔融硅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶種卡盤，其中，所述傾斜角在39°至48°的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶種卡盤，其中，所述晶種卡盤包含：

上部主體，所述上部主體包含所述頸蓋的頂表面；

中部主體，所述中部主體包含所述頸蓋的圓周表面；以及

下部主體，所述下部主體包含所述頸蓋的底表面，

其中，所述上部主體可拆卸地聯(lián)接至所述中部主體，且所述中部主體可拆卸地聯(lián)接至所述下部主體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶種卡盤，其中，所述頸蓋具有圓錐形狀或截頭圓錐形狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶種卡盤，其中，在所述頸蓋內(nèi)形成空的空間。

6.一種晶錠生長(zhǎng)裝置，所述晶錠生長(zhǎng)裝置包括：

腔室；

熱區(qū)結(jié)構(gòu)，所述熱區(qū)結(jié)構(gòu)配置在所述腔室內(nèi)并且構(gòu)造成容納硅；

加熱器，所述加熱器構(gòu)造成加熱所述熱區(qū)結(jié)構(gòu)；

外隔熱體，所述外隔熱體位于所述熱區(qū)結(jié)構(gòu)外；

上隔熱體，所述上隔熱體位于所述熱區(qū)結(jié)構(gòu)的上方并具有晶錠穿過(guò)的孔；

晶種卡盤，所述晶種卡盤構(gòu)造為容納用于從熔融硅生長(zhǎng)晶錠的晶種；以及

溫度傳感器，所述溫度傳感器配置在所述腔室的上方，

其中，所述晶種卡盤包含：

構(gòu)造成選擇性地阻擋所述孔的頸蓋；以及

構(gòu)造成容納所述晶種的固定部，

其中，所述頸蓋具有測(cè)量部，所述測(cè)量部是開口的以使得所述溫度傳感器測(cè)量熔融硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶錠生長(zhǎng)裝置，其中，所述溫度傳感器通過(guò)所述測(cè)量部從頸蓋上側(cè)測(cè)量熔融硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶錠生長(zhǎng)裝置，所述晶錠生長(zhǎng)裝置進(jìn)一步包括控制器，所述控制器構(gòu)造成基于由所述溫度傳感器測(cè)量的數(shù)據(jù)計(jì)算所述熔融硅的溫度，

其中，所述控制器提取在測(cè)量周期內(nèi)測(cè)量的所述溫度傳感器的數(shù)據(jù)中的最大值，并計(jì)算熔融硅的溫度。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶錠生長(zhǎng)裝置，其中，所述頸蓋包括：

上部主體，所述上部主體包含連接到提升索的索連接部；

下部主體，所述下部主體包含構(gòu)造成面向熔融硅的底表面；以及

中部主體，所述中部主體包含所述底表面和傾斜的圓周表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶錠生長(zhǎng)裝置，其中，所述中部主體和所述下部主體中的每一個(gè)都具有開口的測(cè)量部。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶錠生長(zhǎng)裝置，其中，所述中部主體可拆卸地聯(lián)接到上部主體和下部主體中的至少一個(gè)。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶錠生長(zhǎng)裝置，其中，所述測(cè)量部是沿著頸蓋的外圓周以弧形形成的測(cè)量孔。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶錠生長(zhǎng)裝置，其中：

在所述頸蓋中形成有多個(gè)測(cè)量孔；并且

所述頸蓋包含位于所述多個(gè)測(cè)量孔之間的橋。

14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶錠生長(zhǎng)裝置，其中，所述頸蓋包含：

圓周表面，所述圓周表面構(gòu)造成引導(dǎo)流體；以及

底表面，所述底表面構(gòu)造成面向所述熔融硅，

其中，所述圓周表面相對(duì)于底表面具有傾斜角，且所述傾斜角在39°至48°的范圍內(nèi)。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶錠生長(zhǎng)裝置，其中，所述頸蓋進(jìn)一步包含平行于所述底表面的頂表面。