[發(fā)明專利]具有改進的非鉗位感應(yīng)開關(guān)抗擾性的晶體管結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580044859.5
• 申請日: 2015-08-14
• 公開（公告）號: CN106663610B
• 公開（公告）日: 2020-02-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 文杰·張;馬督兒·博德;陳去非;凱爾·特里爾
• 申請（專利權(quán)）人: 維西埃-硅化物公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/66;H01L29/78
• 代理公司: 11336 北京市磐華律師事務(wù)所
• 代理人: 高偉;婁曉丹

1.一種半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，包括：

具有第一導(dǎo)電類型的襯底；

與所述襯底相鄰的外延層，所述外延層具有所述第一導(dǎo)電類型；

位于所述外延層之上的柵極結(jié)構(gòu)，

在所述外延層內(nèi)的具有第二導(dǎo)電類型的漏區(qū)；

在所述外延層內(nèi)的具有所述第二導(dǎo)電類型的源區(qū)；

在所述外延層內(nèi)的具有所述第一導(dǎo)電類型的體結(jié)構(gòu)，所述體結(jié)構(gòu)至少部分地形成于所述柵極結(jié)構(gòu)下方并在所述源區(qū)下方橫向延伸，其中所述外延層的摻雜少于所述體結(jié)構(gòu)；

導(dǎo)電溝槽狀饋通元件，穿過所述外延層并接觸所述第一導(dǎo)電類型襯底，并且穿過并接觸所述第二導(dǎo)電類型源區(qū)；

具有所述第一導(dǎo)電類型的第一槽區(qū)，形成于所述源區(qū)下方且橫向靠近并接觸所述體結(jié)構(gòu)，其中所述第一槽區(qū)與所述溝槽狀饋通元件接觸；和

至少部分地形成于所述第一槽區(qū)下方的第二槽區(qū)，其中所述第二槽區(qū)的摻雜少于所述第一槽區(qū)，其中所述第二槽區(qū)從所述第一槽區(qū)延伸到所述襯底并與所述襯底接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，其中所述體結(jié)構(gòu)的摻雜少于所述第一槽區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，其中所述漏區(qū)包括：

第一區(qū)域，與漏極接觸可接近并與所述柵極結(jié)構(gòu)分隔開；和

第二區(qū)域，被輕摻雜并且至少部分地位于所述外延層內(nèi)的所述第一區(qū)域下方，其中所述第二區(qū)域至少部分地延伸到所述柵極結(jié)構(gòu)下方，其中所述第二區(qū)域的摻雜少于所述第一區(qū)域，其中所述第二區(qū)域與所述柵極結(jié)構(gòu)的邊緣粗略對準。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，其中所述源區(qū)與所述柵極結(jié)構(gòu)的邊緣粗略對準。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，其中所述柵極結(jié)構(gòu)包括：

柵極氧化物層；

硅化鎢層；和

夾在所述柵極氧化物層和所述硅化鎢層之間的柵極多晶硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，其中所述第一導(dǎo)電類型包括p型，并且其中所述第二導(dǎo)電類型包括n型。

7.一種半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，包括：

具有第一導(dǎo)電類型的襯底；

與所述襯底相鄰的外延層，所述外延層具有所述第一導(dǎo)電類型；

靠近并位于所述外延層之上的柵極結(jié)構(gòu)，

在所述外延層內(nèi)的具有第二導(dǎo)電類型的漏區(qū)；

在所述外延層內(nèi)的具有所述第二導(dǎo)電類型的源區(qū)；

在所述外延層內(nèi)的具有所述第一導(dǎo)電類型的體結(jié)構(gòu)，所述體結(jié)構(gòu)至少部分地形成于所述柵極結(jié)構(gòu)下方并在所述源區(qū)下方橫向延伸，其中所述外延層的摻雜少于所述體結(jié)構(gòu)；

具有所述第一導(dǎo)電類型的第一槽區(qū)，形成于所述源區(qū)下方并且橫向靠近并接觸所述體結(jié)構(gòu)；

至少部分地形成于所述第一槽區(qū)下方的第二槽區(qū)，其中所述第二槽區(qū)的摻雜少于所述第一槽區(qū)，其中所述第二槽區(qū)從所述第一槽區(qū)延伸到所述襯底并與所述襯底接觸；

導(dǎo)電溝槽狀饋通元件，穿過并接觸所述第一槽區(qū)；

其中所述漏區(qū)包括與漏極接觸可接近并與所述柵極結(jié)構(gòu)分隔開的第一區(qū)域，和至少部分地位于所述外延層內(nèi)的所述第一區(qū)域下方的、比所述第一區(qū)域摻雜更少的第二區(qū)域，使得所述第二區(qū)域至少部分地延伸至所述柵極結(jié)構(gòu)下方，其中所述第二區(qū)域與所述柵極結(jié)構(gòu)的邊緣粗略對準；和

位于所述第一區(qū)域下方的具有第一導(dǎo)電類型的鉗位區(qū)，使得所述第二區(qū)域?qū)⑺龅谝粎^(qū)域和所述鉗位區(qū)分離開。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，其中所述鉗位區(qū)與所述第一區(qū)域的邊緣粗略對準。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，其中所述鉗位區(qū)與輕摻雜的所述第二區(qū)域的邊緣內(nèi)粗略對準。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，其中所述體結(jié)構(gòu)的摻雜少于所述第一槽區(qū)。