[發明專利]多晶硅包裝體

有效

• 申請號: 201580039661.8
• 申請日: 2015-09-18
• 公開（公告）號: CN106660694B
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: 吉村聰子;淺野卓也
• 申請（專利權）人: 株式會社德山
• 主分類號: B65D85/00
• 分類號: B65D85/00;B65B29/00;B65D77/00;B65D77/04;B65D85/38
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

本發明的課題在于提供一種包裝體，其是在由厚度薄、具體而言300μm以下的厚度的聚乙烯系樹脂薄膜形成的袋中填充有多晶硅粉碎物(Si粉碎物)的包裝體，其有效地防止由該Si粉碎物導致的袋的破損。根據本發明，提供一種多晶硅包裝體，其在由平均厚度為300μm以下的聚乙烯系樹脂薄膜形成的袋(1)中填充有Si粉碎物(4)，所述多晶硅包裝體的特征在于，袋(1)在底部具有熱封接合部(2)，以將袋(1)保持為以底部為接地面的正立狀態時的袋(1)的最大伸長率為5％以下的方式，填充Si粉碎物(4)。

技術領域

本發明涉及容納有半導體的制造原料等中使用的多晶硅的粉碎物的多晶硅包裝體。

背景技術

高純度的多晶硅主要通過西門子法來制造，其作為用于制造用作半導體器件等的原材料的硅單晶的原料使用。所述西門子法為如下的方法：對高純度硅的晶種(芯線)進行通電加熱，在該晶種表面使硅烷系氣體和氫氣反應，由此使高純度的多晶硅氣相沉積為棒狀。

對于通過上述西門子法制造的多晶硅棒，有時將其粉碎、以塊片的多晶硅粉碎物(以下也稱為Si粉碎物)的形態進行包裝·捆包來運輸到單晶多晶硅的制造工廠等。

上述Si粉碎物在根據需要進行了用于去除表面的雜質的蝕刻處理后，為了防止污染，被填充到聚乙烯系樹脂薄膜制的袋中，對于填充有Si粉碎物的袋即多晶硅包裝體，通常將其捆包在如瓦楞紙箱那樣的運輸用盒內來進行運輸。

然而，對于如上所述的填充有多晶硅粉碎物的袋，被指出了如下問題：在其運輸時，內容物Si粉碎物銳利的角部刺破包裝袋、多晶硅與外部氣體接觸從而被污染。

針對上述問題，還提出了幾個對策。

例如已知有如下包裝方式：通過將容納有塊狀的多晶硅的包裝體制成內袋和外袋這種雙重結構，從而即使內袋破損，也能通過外袋來防止污染(參照專利文獻1)。上述雙重包裝為有效的手段，在工業上被廣泛采用。

但是，即使如上所述地制成雙重包裝，也需要防止內袋的破損。是因為存在內袋的破損會導致外袋破損的擔心。

作為防止填充有多晶硅粉碎物的袋的破損的手段，考慮到將構成該袋的聚乙烯系樹脂薄膜的厚度增厚，但由厚度帶來的袋的破損防止是有限度的。即是因為，若過度增厚薄膜厚度，則在填充多晶硅粉碎物后，利用熱封封閉填充用的開口時，基于熱封的熱熔接容易變得不充分，袋的密封性會降低。特別是，對于如角撐袋(gusset bag)那樣的在拼接處形成有折入的袋，在折入部的熱封變得不充分，密封性的降低大。另外，若形成袋的薄膜的厚度過厚，則還會產生如下問題：將填充有多晶硅粉碎物的袋裝入到運輸用盒中時，袋體積大，無法高效地捆包。

這樣，僅僅通過袋的厚度調整會產生密封性降低、捆包性等其它問題，因此無法有效地防止由多晶硅粉碎物導致的袋的破損。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本實用新型授權第2561015號

發明內容

發明要解決的問題

因此，本發明的目的在于，提供一種在由厚度薄、具體而言300μm以下的厚度的聚乙烯系樹脂薄膜形成的袋中填充有Si粉碎物、有效地防止由該粉碎物導致的袋的破損的包裝體。

用于解決問題的方案