[發明專利]微組裝的高頻裝置及陣列有效
| 申請號： | 201580038779.9 | 申請日： | 2015-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN107078088B | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發明（設計）人： | 克里斯托弗·鮑爾;馬修·邁托 | 申請（專利權）人： | 艾克斯展示公司技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01G4/38;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 劉鋒 |
| 地址： | 愛爾蘭*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 組裝 高頻 裝置 陣列 | ||
1.一種多層電容器裝置，其包括：
目的地襯底；及
多層結構，其在所述目的地襯底上，其中所述多層結構包括彼此上下堆疊的多個印刷電容器，其中在每一電容器之間沿著所述電容器的至少一個邊緣存在偏移，且
其中所述多個印刷電容器是相同形狀及大小。
2.根據權利要求1所述的多層電容器裝置，其中所述偏移處于一維中。
3.根據權利要求1或2所述的多層電容器裝置，其中所述偏移處于二維中。
4.根據權利要求1或2所述的多層電容器裝置，其中所述偏移使得每一電容器的頂部表面的一部分被暴露。
5.根據權利要求1或2所述的多層電容器裝置，其中所述多個印刷電容器中的每一電容器具有介于100nF/mm2與400nF/mm2之間的電容。
6.根據權利要求1或2所述的多層電容器裝置，其中所述多個印刷電容器中的每一電容器具有從1μm到10μm、10μm到30μm、30μm到50μm或50μm到100μm的厚度。
7.根據權利要求1或2所述的多層電容器裝置，其中所述多個印刷電容器中的每一電容器具有從10μm到50μm、50μm到100μm或100μm到200μm的寬度。
8.根據權利要求1或2所述的多層電容器裝置，其中所述多個印刷電容器中的每一電容器具有從10μm到50μm、50μm到100μm或100μm到200μm的長度。
9.根據權利要求1或2所述的多層電容器裝置，其中所述多個印刷電容器以并聯或串聯中的至少一種方式連接。
10.根據權利要求1或2所述的多層電容器裝置，其中所述目的地襯底是選自由以下各項組成的群組的成員：聚合物、金屬、玻璃、半導體及藍寶石。
11.根據權利要求1或2所述的多層電容器裝置，其中所述目的地襯底是選自由以下各項組成的群組的成員：樹脂、聚酰亞胺、PEN、PET和金屬箔。
12.根據權利要求1或2所述的多層電容器裝置，其中所述目的地襯底對于可見光具有大于或等于50％的透明度。
13.根據權利要求1或2所述的多層電容器裝置，其中所述目的地襯底對于可見光具有大于或等于80％的透明度。
14.根據權利要求1或2所述的多層電容器裝置，其中所述目的地襯底對于可見光具有大于或等于90％的透明度。
15.根據權利要求1或2所述的多層電容器裝置，其中所述目的地襯底對于可見光具有大于或等于95％的透明度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
