[發明專利]半導體激光裝置

有效

• 申請號: 201580033757.3
• 申請日: 2015-07-09
• 公開（公告）號: CN106663915B
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發明（設計）人: 吉田隆幸;王靜波
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024;H01L23/473
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳秋明

1.一種半導體激光裝置，具備：

導電性的冷卻板，其在內部具有彼此獨立的供水路徑和排水路徑；

絕緣片，其設置在所述冷卻板之上，具有與所述供水路徑連接的第1貫通孔和與所述排水路徑連接的第2貫通孔；

導電性的第1冷卻塊，其設置在所述絕緣片之上，在內部具有與所述第1貫通孔以及所述第2貫通孔連接的第1管；和

第1半導體激光元件，其設置在所述第1冷卻塊之上，

所述第1半導體激光元件具有第1電極以及與所述第1電極相反一側的第2電極，

所述第1電極與所述第1冷卻塊電連接，

所述冷卻板處于浮動電位。

2.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其中，

所述半導體激光裝置還具備第1導電板，該第1導電板設置于所述第1電極與所述第1冷卻塊之間，對所述第1電極以及所述第1冷卻塊的熱膨脹系數進行調整。

3.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其中，

所述第1電極為正電極，所述第2電極為負電極。

4.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其中，

在所述供水路徑、所述排水路徑和所述第1管中流動冷卻水，

所述冷卻水是導電率小于10μS/cm的離子交換水。

5.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其中，

所述供水路徑和所述排水路徑在所述冷卻板的外部，經由循環裝置而連接。

6.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其中，

所述冷卻板的主要材料是不銹鋼。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體激光裝置，其中，

所述第1冷卻塊的主要材料是銅。

8.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其中，

所述半導體激光裝置還具備：

導電性的第2冷卻塊，其設置在所述絕緣片之上；和

第2半導體激光元件，其設置在所述第2冷卻塊之上，

所述絕緣片具有與所述供水路徑連接的第3貫通孔和與所述排水路徑連接的第4貫通孔，

所述第2冷卻塊在內部具有與所述第3貫通孔以及所述第4貫通孔連接的第2管，

所述第2半導體激光元件具有第3電極以及與所述第3電極相反一側的第4電極，

所述第3電極與所述第2冷卻塊電連接，

所述第2冷卻塊和所述第2電極電連接。