[發(fā)明專利]包括納米間隙電極和納米顆粒的電子器件

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201580033624.6
• 申請日: 2015-04-22
• 公開（公告）號: CN106663545A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 伊曼紐爾·路易利爾;貝努瓦·杜博特雷特
• 申請（專利權(quán)）人: 奈科斯多特股份公司;巴黎工業(yè)物理化學(xué)學(xué)校喬治·夏帕克基金
• 主分類號: H01G9/20
• 分類號: H01G9/20
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11270
• 代理人: 胡春光,張穎玲

1.一種電子器件，其包括襯底和由納米間隙間隔的至少兩個電極，其中所述至少兩個電極由至少一個納米顆粒橋接，并且其中所述至少一個納米顆粒具有與所述至少兩個電極重疊的重疊面積，所述重疊面積比所述至少一個納米顆粒的面積的2％大。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述至少一個納米顆粒具有與所述至少兩個電極中的每一個重疊的重疊面積，所述至少一個納米顆粒與所述至少兩個電極中的每一個重疊的重疊面積比所述至少一個納米顆粒的面積的1％大。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項所述的電子器件，其中，所述納米間隙具有在0.1納米至1000納米，優(yōu)選0.25納米至500納米，更優(yōu)選1納米至100納米，更加優(yōu)選10納米至80納米的范圍內(nèi)的尺寸(d)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的電子器件，其中，所述納米間隙具有在1納米至10毫米，優(yōu)選5納米至1毫米，更優(yōu)選10納米至100微米，更加優(yōu)選50納米至10微米的范圍內(nèi)的長度(L)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的電子器件，其中，所述至少一個納米顆粒是大量子點、納米薄片、納米棒、納米片、納米板、納米壁、納米盤、納米管、納米條、納米帶或納米線。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的電子器件，其中，所述至少一個納米顆粒是半導(dǎo)體納米片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的電子器件，其還包括在所述至少一個納米顆粒上的電解質(zhì)。

8.一種制造根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的電子器件的方法，所述方法包括以下步驟：

a)在襯底上形成由在0.1納米至1000納米的范圍內(nèi)的納米間隙間隔的至少兩個電極；

b)制備膠體納米顆粒；

c)可選地，進行納米顆粒的配體交換過程；

d)將至少一個納米顆粒沉積到所述納米間隙上，其中所述至少一個納米顆粒具有與由納米間隙間隔的所述至少兩個電極重疊的重疊面積，所述重疊面積比所述至少一個納米顆粒的面積的2％大；

e)如果未執(zhí)行步驟c)，則進行納米顆粒的配體交換過程；以及

f)可選地，沉積電解質(zhì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造電子器件的方法，其中，在襯底上形成由納米間隙間隔的至少兩個電極的方法選自：電遷移、電沉積、機械控制斷裂結(jié)、電子束光刻、自對準方法、剝離方法、遮蔽方法、在線光刻、納米管掩模。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9中任一項所述的制造電子器件的方法，其中，將至少一個納米顆粒沉積到納米間隙上的方法選自：滴鑄、旋涂、浸涂、噴涂、絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、濺射技術(shù)、蒸發(fā)技術(shù)、電泳沉積、凹版印刷、撓性版印刷或真空方法。

11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項所述的制造電子器件的方法，其中，所述納米顆粒是半導(dǎo)體納米片。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的電子器件，其中，在所述至少兩個電極之間形成pn結(jié)。

13.一種根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的電子器件作為光電檢測器、晶體管、光電晶體管、光學(xué)調(diào)制器、電二極管、光伏太陽能電池或電致發(fā)光部件的用途。

14.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的電子器件的產(chǎn)品，其中，所述產(chǎn)品是光電檢測器、晶體管、光電晶體管、光調(diào)制器、電二極管、光伏太陽能電池或電致發(fā)光部件。

15.一種發(fā)光二極管，其包括根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的電子器件。

16.一種激光器，其包括根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的電子器件。