[發明專利]用來植入工件表面的掩模組以及處理工件的方法

有效

• 申請號: 201580018131.5
• 申請日: 2015-02-10
• 公開（公告）號: CN106165122B
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發明（設計）人: 尼可拉斯·PT·貝特曼;班哲明·里歐丹;威廉·T·維弗
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 楊貝貝,臧建明

1.一種處理工件的方法，包括：

執行多個圖案化離子植入至所述工件的表面，以產生具有較重摻雜區域的圖案的輕摻雜表面，

其中所述執行步驟包括：

使用第一掩模植入離子至所述工件，并且使用相異于所述第一掩模的第二掩模植入離子至所述工件；

其中所述第一掩模及所述第二掩模的每一個包括可讓離子通過的開口部分，而且所述第一掩模及所述第二掩模中至少一個包括圖案化部分；以及

所述第一掩模的所述開口部分和所述第二掩模的所述開口部分的總合構成所述工件的表面整體。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述多個圖案化離子植入是在不破壞用來執行所述多個圖案化離子植入的植入裝置的真空狀態下被執行。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述表面的所述整體經由離子通過所述開口部分而被輕摻雜，以及所述較重摻雜區域是經由離子通過所述圖案化部分而形成。

4.一種用來植入工件表面的掩模組，其中所述掩模組中的每個掩模包括開口部分，其中所述掩模組包括恰好兩個掩模；以及

所述掩模組中的至少一個掩模包括圖案化部分，其中在使用所述掩模組中的每個掩模以植入所述工件之后，所述工件的所述表面的整體被輕摻雜，并且較重摻雜區域的圖案形成于所述工件的所述表面，其中所述恰好兩個掩模中每個的所述開口部分的總合構成所述工件的所述表面整體。

5.根據權利要求4所述的掩模組，其中所述圖案化部分包括多個凹槽或點狀物。

6.根據權利要求4所述的掩模組，其中所述恰好兩個掩模中僅有其一包括所述圖案化部分。

7.根據權利要求4所述的掩模組，其中所述掩模組包括單一掩模，所述單一掩模和所述工件在第一離子植入后第二離子植入執行前彼此相對應地移動。

8.根據權利要求4所述的掩模組，其中所述表面的所述整體經由離子通過所述開口部分而被輕摻雜，以及所述較重摻雜區域是經由離子通過所述圖案化部分而形成。

9.一種處理工件的方法，包括：

使用掩模來執行將第一圖案化離子植入至所述工件的表面，所述掩模具有開口部分和圖案化部分，其中在所述第一圖案化離子植入的期間，離子通過所述開口部分和所述圖案化部分植入所述工件；

執行所述第一圖案化離子植入后，在所述掩模和所述工件之間產生相對應地移動；以及

在所述相對應地移動后，使用所述掩模來執行將第二圖案化離子植入至所述表面，使得在所述第一圖案化離子植入和第二圖案化離子植入后所述工件的所述表面整體被輕摻雜，并且較重摻雜區域的圖案被形成在所述工件的所述表面，

其中在所述第二圖案化離子植入的期間，離子通過所述開口部分和所述圖案化部分植入所述工件。

10.根據權利要求9所述的方法，其中在所述第一圖案化離子植入后，所述掩模被移動、旋轉或翻轉。

11.根據權利要求9所述的方法，其中在所述第一圖案化離子植入后，所述工件被旋轉。

12.根據權利要求9所述的方法，其中所述開口部分和所述圖案化部分的每一個包括所述工件表面區域的50％，其中所述開口部分和所述圖案化部分對稱排列，使得所述掩模的旋轉或翻轉能夠產生互補掩模，其中所述掩模的所述開口部分和所述互補掩模的開口部分的總合構成所述工件的所述表面整體。