[發明專利]用于頻率檢測的系統和方法

有效

• 申請號: 201580011546.X
• 申請日: 2015-02-18
• 公開（公告）號: CN106063207B
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發明（設計）人: G·墨菲;J·莊;X·孔;W·K·拉德
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H04L25/02
• 分類號: H04L25/02;H04L25/49
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 唐杰敏

1.一種電路，包括：

開關，所述開關被配置成將電容器耦合至第一電流源以響應于接收到具有第一二進制狀態的輸入信號而使所述電容器放電，所述開關被進一步配置成將所述電容器耦合至第二電流源以響應于接收到具有互補的第二二進制狀態的所述輸入信號而使所述電容器充電；

反相器，所述反相器被配置成響應于所述電容器的端子上的電壓與至少一個反相器閾值電壓的比較而將輸出信號驅動到所述第一二進制狀態和第二二進制狀態中；以及

邏輯電路，所述邏輯電路被配置成當所述輸入信號在所述第二二進制狀態中時，響應于所述反相器將所述輸出信號驅動到所述第二二進制狀態中而使所述端子耦合至電源節點，所述邏輯電路被進一步配置成當所述輸入信號在所述第一二進制狀態中時，響應于所述反相器將所述輸出信號驅動到所述第一二進制狀態中而將所述端子耦合至接地。

2.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述反相器包括施密特觸發器，并且其中所述至少一個反相器閾值電壓包括第一閾值電壓以及第二閾值電壓。

3.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述開關包括PMOS晶體管以及NMOS晶體管，所述PMOS晶體管以及NMOS晶體管的柵極被配置成接收所述輸入信號。

4.如權利要求3所述的電路，其特征在于，所述PMOS晶體管的源極是通過所述第一電流源來耦合至所述電源節點的，并且所述NMOS晶體管的源極是通過所述第二電流源來耦合至接地的，并且其中所述PMOS晶體管的漏極以及所述NMOS晶體管的漏極兩者都耦合至所述電容器的所述端子。

5.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述第一電流源以及所述第二電流源兩者都是可變電流源。

6.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述電容器是可變電容器。

7.如權利要求1所述的電路，其特征在于，邏輯電路包括或門以及與門。

8.如權利要求7所述的電路，其特征在于，所述邏輯電路進一步包括具有耦合至所述電源節點的源極以及耦合至所述端子的漏極的PMOS晶體管，并且其中所述或門被配置成響應于所述輸入信號和所述輸出信號的或操作而驅動所述PMOS晶體管的柵極。

9.如權利要求7所述的電路，其特征在于，所述邏輯電路進一步包括具有耦合至接地的源極以及耦合至所述端子的漏極的NMOS晶體管，其中所述與門被配置成響應于所述輸入信號和所述輸出信號的與操作而驅動所述NMOS晶體管的柵極。

10.一種方法，包括：

響應于輸入信號轉換到第一二進制狀態中而根據經電流源控制的第一電流來對電容器進行放電；

響應于所述輸入信號轉換到互補的第二二進制狀態中而根據經電流源控制的第二電流來對所述電容器進行充電；以及

將所述電容器的端子上的電壓與至少一個反相器閾值電壓進行比較，以確定所述輸入信號是否根據低頻速率來在所述第一二進制狀態與所述第二二進制狀態之間進行轉換，其中輸出信號響應于所述輸入信號在所述第一二進制狀態與所述第二二進制狀態之間進行轉換而在所述第一二進制狀態與所述第二二進制狀態之間進行轉換，或者所述輸入信號是否根據高頻速率來在所述第一二進制狀態與所述第二二進制狀態之間進行轉換，其中所述輸出信號響應于所述輸入信號在所述第一二進制狀態與所述第二二進制狀態之間進行轉換而被阻止進行轉換。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述輸入信號在所述第一二進制狀態中具有比在所述第二二進制狀態中所述輸入信號的電壓更高的電壓，所述方法進一步包括：響應于所述輸出信號是否響應于所述輸入信號進行轉換而確定所述輸入信號是根據低頻速率還是根據高頻速率來在所述第一二進制狀態與第二二進制狀態之間進行轉換。

12.如權利要求11所述的方法，其特征在于，對所述電容器進行充電是響應于所述輸入信號的下降沿的，并且其中對所述電容器進行放電是響應于所述輸入信號的上升沿的。

13.如權利要求11所述的方法，其特征在于，確定所述輸入信號是否根據所述低頻速率來進行轉換包括：確定所述輸出信號響應于所述輸入信號在所述第一二進制狀態與第二二進制狀態之間進行轉換而被驅動成在所述第一二進制狀態與所述第二二進制狀態之間進行轉換。