[發明專利]晶片保持臺及其制法

有效

• 申請號: 201580001957.0
• 申請日: 2015-09-04
• 公開（公告）號: CN105580129B
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 矢納拓彌;大場教磨;川尻哲也;鶴田英芳
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;C04B37/02
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;金鮮英

1.一種晶片保持臺，是在陶瓷制的靜電卡盤與金屬制的冷卻板之間具備樹脂制的粘接層的晶片保持臺，

所述粘接層包含與所述靜電卡盤接觸的第一層、與所述冷卻板接觸的第二層、以及位于所述第一層和所述第二層之間的中間層，所述第一層和所述中間層的耐熱性比所述第二層的耐熱性高，所述第二層的柔軟性比所述第一層和所述中間層的柔軟性高，各層氣密地接觸。

2.如權利要求1所述的晶片保持臺，在室溫下，所述第二層的彈性模量比所述第一層和所述中間層小。

3.如權利要求1或2所述的晶片保持臺，所述第二層為環氧-丙烯酸酯混合樹脂層，在室溫下，剪切的彈性模量Z(MPa)為0.048≦Z≦2.350。

4.如權利要求1或2所述的晶片保持臺，

所述第一層和所述中間層分別為在200℃顯示出耐熱的聚酰亞胺系樹脂層、環氧系樹脂層或PEEK樹脂層之一，

所述第二層為環氧-丙烯酸酯混合樹脂層。

5.如權利要求4所述的晶片保持臺，

所述第一層和所述中間層分別為在250℃顯示出耐熱的聚酰亞胺系樹脂層、環氧系樹脂層或PEEK樹脂層之一。

6.如權利要求1或2所述的晶片保持臺，

所述第二層的厚度為150～400μm，比所述第一層和所述中間層的厚度之和薄。

7.如權利要求3所述的晶片保持臺，

所述第一層和所述中間層分別為在250℃顯示出耐熱的聚酰亞胺系樹脂層、環氧系樹脂層或PEEK樹脂層之一，

所述第二層的厚度為150～400μm，比所述第一層和所述中間層的厚度之和薄。

8.一種晶片保持臺的制法，是制造權利要求1或2所述的晶片保持臺的方法，

在所述靜電卡盤的一面設置所述第一層進行熱固化之前的第一層前驅體的層，并且在所述冷卻板的一面設置所述第二層進行熱固化之前的第二層前驅體的層，向所述靜電卡盤的所述第一層前驅體的層與所述冷卻板的所述第二層前驅體的層之間夾入相當于所述中間層的經熱固化的平坦的樹脂片，從而形成層疊體，將該層疊體裝入袋內，對該袋內進行減壓后，一邊從該袋的外部加壓一邊加熱，從而使所述第一層前驅體的層和所述第二層前驅體的層熱固化。

9.如權利要求8所述的晶片保持臺的制法，

所述第二層前驅體的層是粘接材料的層，所述粘接材料包含(A)能夠進行氫轉移型加聚的環氧樹脂、(B)丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的聚合物和(C)固化劑。